[發明專利]半導體存儲裝置及利用半導體存儲裝置的操作方法

有效

• 申請號: 201310524599.4
• 申請日: 2013-10-30
• 公開（公告）號: CN104103316B
• 公開（公告）日: 2019-08-27
• 發明（設計）人: 尹正赫
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/24
• 分類號: G11C16/24;G11C16/06
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;許偉群

一種半導體存儲裝置包括：命令處理塊，被配置成在寫入操作中響應于第一控制信號和第二控制信號而產生電壓發生開始信號、第一寫入控制信號、第二寫入控制信號、讀取信號以及操作信號；以及存儲器控制塊，被配置成響應于電壓發生開始信號、第一寫入控制信號、第二寫入控制信號、讀取信號以及操作信號而將存儲數據的存儲器塊與感測放大器電耦接，或者將預定的電壓施加至存儲器塊。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2013年4月8日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2013-0038035的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此，如同全文闡述。

技術領域

各種實施例總體而言涉及一種半導體集成電路，且更具體而言，涉及一種半導體存儲裝置以及利用所述半導體存儲裝置的操作方法。

背景技術

半導體存儲裝置存儲數據且輸出存儲的數據。

更具體地，一般的半導體存儲裝置響應于來自控制器或中央處理單元的命令而存儲數據、并輸出存儲的數據。

如圖1中所示，一般的半導體存儲裝置包括：命令輸入塊10、命令處理塊20、存儲器塊30、存儲器控制塊40、感測放大器50、數據比較塊60以及用于寫入的電壓控制塊70。

命令輸入塊10可以將從外部輸入的外部命令CMD_ext轉換成內部命令CMD_int。

命令處理塊20將內部命令CMD_int譯碼，并且當內部命令CMD_int被確定為讀取命令時，將讀取信號read_s使能。當內部命令CMD_int被確定為寫入命令時，命令處理塊20將讀取信號read_s使能預定的時間，而當讀取信號read_s被禁止時將寫入信號write_s使能。當讀取信號read_s和寫入信號write_s中的一個被使能時，命令處理塊20將操作信號operation_s使能。

存儲器塊30存儲數據。例如，存儲器塊30包括阻變存儲器元件R_cell，阻變存儲器元件R_cell具有根據施加的電壓的電平或施加的電流量而變化的電阻值。存儲器控制塊40與阻變存儲元件R_cell的第一端部電耦接，并且接地端子VSS與阻變存儲器元件R_cell的第二端部電耦接，第一端部與第二端部相對。

存儲器控制塊40響應于第一電壓供應控制信號V_sup1和第二電壓供應控制信號V_sup2、寫入信號write_s、讀取信號read_s以及操作信號operation_s，而允許預定量的電流流經存儲器塊30、或者將具有特定電平的電壓施加至存儲器塊30。存儲器控制塊40將存儲器塊30與感測放大器50電耦接。例如，當寫入信號write_s被使能時，存儲器控制塊40響應于第一電壓供應控制信號V_sup1和第二電壓供應控制信號V_sup2而向存儲器塊30供應預定的電壓或預定量的電流。當讀取信號read_s被使能時，存儲器控制塊40將感測放大器50與存儲器塊30電耦接。

存儲器控制塊40包括：電壓供應選擇單元31、存儲器電壓供應單元32以及第一開關至第三開關33、34和35。

電壓供應選擇單元31響應于第一電壓供應控制信號V_sup1和第二電壓供應控制信號V_sup2，而向電壓供應單元32提供用于寫入的第一電壓V_set和用于寫入的第二電壓V_reset。例如，電壓供應選擇單元31響應于第一電壓供應控制信號V_sup1和第二電壓供應控制信號V_sup2，而向電壓供應單元32供應用于寫入的第一電壓V_set和用于寫入的第二電壓V_reset中的一個。電壓供應選擇單元31響應于第一電壓供控制信號V_sup1和第二電壓供控制信號V_sup2，而不向電壓供應單元32供應用于寫入的第一電壓V_set和用于寫入的第二電壓V_reset兩者。

電壓供應選擇單元31包括用于寫入的第一電壓供應部31-1和用于寫入的第二電壓供應部31-2。