[發明專利]半導體存儲裝置及利用半導體存儲裝置的操作方法

有效

• 申請號: 201310524599.4
• 申請日: 2013-10-30
• 公開（公告）號: CN104103316B
• 公開（公告）日: 2019-08-27
• 發明（設計）人: 尹正赫
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/24
• 分類號: G11C16/24;G11C16/06
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;許偉群

1.一種半導體存儲裝置，包括：

命令處理塊，所述命令處理塊被配置成在寫入操作中響應于內部命令信號、第一控制信號和第二控制信號而產生電壓發生開始信號、第一寫入控制信號、第二寫入控制信號、讀取信號以及操作信號；以及

存儲器控制塊，所述存儲器控制塊被配置成響應于所述電壓發生開始信號、所述第一寫入控制信號、所述第二寫入控制信號、所述讀取信號以及所述操作信號而將存儲數據的存儲器塊與感測放大器電耦接、或者將預定電壓施加至所述存儲器塊，

其中，在所述寫入操作中，所述命令處理塊響應于所述內部命令信號而將所述電壓發生開始信號使能，當所述電壓發生開始信號被使能時，所述存儲器控制塊開始產生要被供應至所述存儲器塊的電壓，同時所述命令處理塊產生被使能預定的時間的所述讀取信號，以及在所述讀取信號被禁止時響應于所述第一控制信號和第二控制信號來將所述第一寫入控制信號和所述第二寫入控制信號選擇性地使能，并且所述存儲器控制塊響應于所述第一寫入控制信號和所述第二寫入控制信號以及所述操作信號來將具有預定的電壓電平的電壓施加至所述存儲器塊。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中，所述命令處理塊在讀取操作中響應于內部命令信號而將所述讀取信號和所述操作信號使能。

3.根據權利要求2所述的半導體存儲裝置，其中，

在所述讀取操作中，所述命令處理塊響應于所述內部命令信號而將所述讀取信號使能；以及

當所述電壓發生開始信號和所述讀取信號中的一個被使能時，所述命令處理塊將所述操作信號使能。

4.根據權利要求3所述的半導體存儲裝置，其中，當所述讀取信號和所述操作信號被使能時，所述存儲器控制塊將所述存儲器塊與所述感測放大器電耦接。

5.根據權利要求4所述的半導體存儲裝置，其中，所述存儲器控制塊包括：

第一開關，所述第一開關被配置成響應于所述操作信號而將所述存儲器塊與公共節點電耦接；

第二開關，所述第二開關被配置成響應于所述讀取信號而將所述公共節點與所述感測放大器電耦接；以及

電壓供應單元，所述電壓供應單元被配置成響應于所述電壓發生開始信號而開始電壓產生，并且響應于所述第一寫入控制信號和所述第二寫入控制信號而將預定的電壓施加至所述公共節點。

6.根據權利要求5所述的半導體存儲裝置，其中，所述電壓供應單元包括：

第一存儲器電壓施加部，所述第一存儲器電壓施加部被配置成當所述電壓發生開始信號被使能時產生用于寫入的第一電壓，并且響應于所述第一寫入控制信號而將與用于寫入的所述第一電壓的電壓電平相對應的第一存儲器電壓施加至所述公共節點；以及

第二存儲器電壓施加部，所述第二存儲器電壓施加部被配置成當所述電壓發生開始信號被使能時產生用于寫入的第二電壓，并且響應于所述第二寫入控制信號而將與用于寫入的所述第二電壓的電壓電平相對應的第二存儲器電壓施加至所述公共節點。

7.根據權利要求6所述的半導體存儲裝置，其中，所述電壓發生開始信號在所述寫入操作中具有與所述電壓發生開始信號的相位大體相同的相位。

8.根據權利要求6所述的半導體存儲裝置，其中，所述第一存儲器電壓施加部包括：

用于寫入的電壓供應部，所述用于寫入的所述電壓供應部被配置成當所述電壓發生開始信號被使能時被激活，并且產生用于寫入的所述第一電壓；

用于電壓產生的晶體管，所述用于電壓產生的所述晶體管被配置成產生與用于寫入的所述第一電壓的電壓電平相對應的所述第一存儲器電壓；以及

第三開關，所述第三開關被配置成響應于所述第一寫入控制信號而將所述第一存儲器電壓施加至所述公共節點。

9.根據權利要求8所述的半導體存儲裝置，其中，用于電壓產生的所述晶體管通過其柵極接收用于寫入的所述第一電壓、通過其源極接收驅動電壓、以及通過其漏極輸出所述第一存儲器電壓。