[發(fā)明專利]襯底處理設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310524521.2
• 申請(qǐng)日: 2009-09-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103594396A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李浩喆;崔善弘;李丞浩;李智訓(xùn);李東奎;李太浣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 周星工程股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 林彥

分案申請(qǐng)的相關(guān)信息

本案是分案申請(qǐng)。該分案的母案是申請(qǐng)日為2009年9月4日、申請(qǐng)?zhí)枮?00910008795.X、發(fā)明名稱為“襯底處理設(shè)備”的發(fā)明專利申請(qǐng)案。

相關(guān)申請(qǐng)案的交叉參考

本申請(qǐng)案主張2008年9月5日申請(qǐng)的第10-2008-87774號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)案、2008年9月5日申請(qǐng)的第10-2008-87775號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)案、2008年9月18日申請(qǐng)的第10-2008-91716號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)案以及2009年8月21日申請(qǐng)的第10-2009-77726號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán)，以及根據(jù)35U.S.C.§119而從其產(chǎn)生的所有益處，所述專利申請(qǐng)案的內(nèi)容以全文引用的方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種襯底處理設(shè)備，且更明確地說(shuō)，涉及一種能夠均勻地加熱真空腔室內(nèi)的襯底安放部件且減少用于加熱襯底安放部件的感應(yīng)加熱單元的功率消耗的襯底處理設(shè)備。

背景技術(shù)

一般來(lái)說(shuō)，半導(dǎo)體裝置、有機(jī)裝置和太陽(yáng)能電池裝置是通過(guò)沉積多個(gè)薄膜并對(duì)其進(jìn)行蝕刻以獲得所要特性來(lái)制造的。襯底處理設(shè)備在等于或大于大約300℃的高溫下執(zhí)行沉積和蝕刻薄膜的過(guò)程。在這一點(diǎn)上，上面沉積有薄膜的襯底的溫度在薄膜沉積過(guò)程中充當(dāng)非常重要的因素。即，在襯底的溫度不均勻的情況下，薄膜的沉積速率可能下降。此外，在沉積溫度較低或襯底的溫度在薄膜沉積過(guò)程期間沒(méi)有均勻地維持的情況下，薄膜的特性可能改變或薄膜的質(zhì)量可能惡化。

因此，常規(guī)襯底處理設(shè)備通過(guò)加熱真空腔室內(nèi)安放襯底的襯底安放部件來(lái)加熱襯底。此加熱單元使用與襯底安放部件集成的電加熱器，或使用光學(xué)加熱器，所述光學(xué)加熱器使用腔室外部的輻射熱來(lái)加熱安置在腔室中的襯底安放部件。

最近，通過(guò)使用安置在真空腔室中的高頻感應(yīng)加熱單元來(lái)將襯底安放部件加熱到等于或大于大約400℃的高溫。這是通過(guò)使用由感應(yīng)加熱單元產(chǎn)生的感應(yīng)磁場(chǎng)使感應(yīng)電流流經(jīng)襯底安放部件來(lái)加熱襯底安放部件的方案。因此，除非將感應(yīng)加熱單元加熱到較高溫度，否則只可能將襯底安放部件加熱到目標(biāo)溫度。

一般來(lái)說(shuō)，感應(yīng)加熱單元安裝在鄰近于襯底安放部件的區(qū)中。即，感應(yīng)加熱單元安置在襯底安放部件下方以加熱具有較大面積的襯底安放部件。然而，由于感應(yīng)加熱單元沒(méi)有如上所述被加熱到較高溫度，因此在感應(yīng)加熱單元安置在襯底安放部件下方的情況下，被加熱到較高溫度的襯底安放部件的熱量可能被感應(yīng)加熱單元帶走。即，感應(yīng)加熱單元充當(dāng)襯底安放部件的熱損失的主要原因。而且，需要更多功率來(lái)補(bǔ)償襯底安放部件的熱損失。

另一問(wèn)題在于襯底安放部件的中心區(qū)的溫度因安置在襯底安放部件下方的感應(yīng)加熱單元而變?yōu)楦哂谶吘墔^(qū)的溫度。因此，當(dāng)沉積薄膜時(shí)，薄膜的均勻性惡化。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種能夠通過(guò)將單獨(dú)的絕熱單元安置在襯底安放部件與感應(yīng)加熱單元之間來(lái)防止襯底安放部件的熱損失，且通過(guò)減少感應(yīng)加熱單元的功率損失來(lái)使襯底加熱的效率最大化的襯底處理設(shè)備。

本發(fā)明進(jìn)一步提供一種能夠通過(guò)將絕熱體安置在絕熱單元中以防止絕熱體暴露于腔室的反應(yīng)空間來(lái)減少由于絕熱體而導(dǎo)致的顆粒或灰塵的產(chǎn)生，且因此延長(zhǎng)絕熱體的替換時(shí)間的襯底處理設(shè)備。

本發(fā)明再進(jìn)一步提供一種能夠通過(guò)在腔室外部調(diào)節(jié)襯底安放部件與感應(yīng)加熱單元之間的距離來(lái)均勻地控制襯底安放部件的溫度，且改進(jìn)裝備正常運(yùn)行時(shí)間的效率的襯底處理設(shè)備。

根據(jù)示范性實(shí)施例，一種襯底處理設(shè)備包含：腔室，其中具有反應(yīng)空間；襯底安放部件，其安置在所述腔室的所述反應(yīng)空間中以使襯底安放在其上；感應(yīng)加熱單元，其用以加熱所述襯底安放部件；以及至少一個(gè)高度調(diào)節(jié)單元，其用以根據(jù)所述襯底安放部件的溫度調(diào)節(jié)區(qū)，在所述腔室的外部選擇性地調(diào)節(jié)所述感應(yīng)加熱單元的高度。

所述高度調(diào)節(jié)單元可穿透所述腔室，且可連接到安置在基座下方的所述感應(yīng)加熱單元。

所述高度調(diào)節(jié)單元可包含：線圈固定支撐件；絕緣體，其纏繞所述線圈固定支撐件的下部部分；軸，其朝向所述絕緣體的下部部分穿透所述腔室；上部支撐件和下部支撐件，其分別安裝在所述腔室的外側(cè)和內(nèi)側(cè)，其中所述軸安置在所述上部支撐件與所述下部支撐件之間；波紋管，其用以使所述軸朝所述下部支撐件的下部部分移動(dòng)；以及距離控制器，其用以控制所述線圈固定支撐件朝所述波紋管的下部部分的移動(dòng)。