[發(fā)明專利]襯底處理設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310524521.2 | 申請日: | 2009-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN103594396A | 公開(公告)日: | 2014-02-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李浩喆;崔善弘;李丞浩;李智訓(xùn);李東奎;李太浣 | 申請(專利權(quán))人: | 周星工程股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 林彥 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 處理 設(shè)備 | ||
1.一種襯底處理設(shè)備,其包括:
腔室,其中具有反應(yīng)空間;
襯底安放部件,其安置在所述腔室中以使襯底安放在所述襯底安放部件上;
感應(yīng)加熱單元,其用以通過感應(yīng)加熱來加熱所述襯底安放部件;以及
絕熱部件,其安置在所述感應(yīng)加熱單元與所述襯底安放部件之間,其中所述絕熱部件在其中包括絕熱體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理設(shè)備,其中所述絕熱部件包括安置在所述反應(yīng)空間中且于其中收藏所述絕熱體的下部主體,以及覆蓋所述下部主體的上部蓋,且其中所述絕熱體使用氧化鋁系列的絕熱體、硅石系列的絕熱體以及碳?xì)种械囊徽呋蚨嗾摺?/p>
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯底處理設(shè)備,其中在所述下部主體和所述上部蓋各自的組合平面中,凹入圖案或凸?fàn)顖D案形成于所述下部主體的組合平面上,且對應(yīng)于所述下部主體的組合平面,凹入圖案或凸?fàn)顖D案形成于所述上部蓋的組合平面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯底處理設(shè)備,其進(jìn)一步包括密封座,所述密封座沿所述下部主體和所述上部蓋的組合平面的側(cè)面而附接。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯底處理設(shè)備,其進(jìn)一步包括環(huán)形絕熱部件,所述環(huán)形絕熱部件安置在所述襯底安放部件與所述腔室的內(nèi)側(cè)壁之間,且其中包含環(huán)形絕熱體。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底處理設(shè)備,其中所述環(huán)形絕熱部件包括安置在所述反應(yīng)空間中且于其中收藏所述環(huán)形絕熱體的下部主體,以及覆蓋所述下部主體的上部蓋,且其中所述環(huán)形絕熱體使用氧化鋁系列的絕熱體、硅石系列的絕熱體以及碳?xì)种械囊徽呋蚨嗾摺?/p>
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯底處理設(shè)備,其中所述絕熱體由氧化鋁系列的材料、硅石系列的材料以及碳?xì)种械囊徽呋蚨嗾咧瞥伞?/p>
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯底處理設(shè)備,其中所述絕熱部件經(jīng)劃分為多個部分并在水平方向組合而形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯底處理設(shè)備,其中所述絕熱體的電荷量、厚度或種類在所述絕熱部件的所述多個部分的每一部分中改變。
10.一種襯底處理設(shè)備,其包括:
腔室,其中具有反應(yīng)空間;
襯底安放部件,其安置在所述腔室中以使襯底安放在所述襯底安放部件上;
感應(yīng)加熱單元,其用以通過感應(yīng)加熱來加熱所述襯底安放部件;
窗口部件,其安置在所述感應(yīng)加熱單元上方;
至少一個絕熱部件,其安置在所述窗口部件與所述襯底安放部件之間;以及多個支撐輪軸,其安置在所述窗口部件與所述絕熱部件之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的襯底處理設(shè)備,其中所述絕熱部件安置在所述反應(yīng)空間中,而且使用阻擋進(jìn)入所述絕熱部件的輻射熱且不影響所述感應(yīng)加熱的不透明石英、SiC和陶瓷中的一者或多者。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的襯底處理設(shè)備,其中所述絕熱部件包括對應(yīng)于所述襯底安放部件的下側(cè)面的板狀絕熱主體以及對應(yīng)于所述襯底安放部件的側(cè)壁面的突出主體。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的襯底處理設(shè)備,其中所述絕熱部件包括對應(yīng)于所述襯底安放部件的下側(cè)面的板狀絕熱主體以及覆蓋所述感應(yīng)加熱單元的側(cè)面的延伸主體。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的襯底處理設(shè)備,其中所述絕熱部件形成為具有中心區(qū)或邊緣區(qū)處的厚度大于其他區(qū)域的厚度或具有從中心區(qū)到邊緣區(qū)而變大的厚度。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的襯底處理設(shè)備,其中所述感應(yīng)加熱單元包括安置于所述絕熱部件下方的感應(yīng)線圈以及向所述感應(yīng)線圈提供高頻功率的功率供應(yīng)源。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的襯底處理設(shè)備,其中所述窗口部件由能透過電磁力的材料形成且具有大于感應(yīng)線圈的整個直徑的直徑。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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