[發明專利]一種光刻膠涂布軌跡的實施方法

在審

• 申請號: 201310524314.7
• 申請日: 2013-10-29
• 公開（公告）號: CN104570609A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 劉瑩
• 申請（專利權）人: 沈陽芯源微電子設備有限公司
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16
• 代理公司: 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002
• 代理人: 許宗富

技術領域

本發明屬于半導體制造領域中光刻膠涂布的工藝過程領域，具體涉及一種光刻膠涂布軌跡的實施方法。

背景技術

對于半導體制造領域中光刻膠涂布，常見的工藝方法有旋涂和超聲波噴涂。對于旋涂工藝，如若光刻膠粘度較大、晶片尺寸較大，光刻膠就需要在晶片表面按一定規律分布，之后再進行晶片的高速旋轉來使光刻膠攤開；對于超聲噴涂工藝，通過碰嘴與晶片的相對運動來使霧化的光刻膠涂布在晶片表面。

因此，如何制定噴嘴相對于晶片運動的軌跡方案就變得十分重要了，這直接關系到晶片表面光刻膠的均勻性和工藝時間的長短，而這兩點是衡量相關工藝設備的重要指標。本發明就是針對這一點出發的。

發明內容

針對現有技術中存在的上述問題，本發明提供一種光刻膠涂布軌跡的實施方法。

本發明為實現上述目的所采用的技術方案是：一種光刻膠涂布軌跡的實施方法，包括以下步驟：

噴嘴/膠嘴從晶片邊緣沿直徑運動到晶圓中心，同時晶片沿一個方向勻速旋轉；

噴嘴/膠嘴從晶片中心繼續沿所述直徑運動到晶圓邊緣，同時晶片反方向旋轉；

所述噴嘴/膠嘴的直線運動和晶片的旋轉運動滿足軌跡方程如下：

軌跡方程：R=f(t)θ=λf(t)]]>

其中，R為噴嘴/膠嘴的直線運動距離，θ為晶圓轉動角度，t為時間，λ為常數；螺旋線間距為函數f(t)滿足

通過所述軌跡方程得到原點對稱等距螺旋線的一半，原點對稱后就得到了另一半的運動軌跡，從而使晶片表面的光刻膠形成等距螺旋曲線。

對于圓形噴霧截面的光刻膠超聲波噴涂情況，軸對稱等距螺線的間距為圓形噴霧截面半徑的3^0.5倍。

本發明具有以下優點及有益效果：

1.對于光刻膠涂布過程，噴嘴（或膠嘴）與晶片的運動為平滑連貫運動，能有效地縮短工藝時間。

2.由于噴嘴（或膠嘴）不存在停頓和運動死角，有利于提高最終膠膜涂布的均勻性。

3.對于超聲波噴涂和平面銑削加工，根據加工器具的特性，給出了最優等距。對于超聲波噴涂，有利于提高膠膜均勻性；對于平面銑削加工，有利于提高表面質量。

附圖說明

圖1為本發明中噴嘴/膠嘴和晶片的相對運動示意圖；

圖2為本發明中晶片上關于原點對稱的等距螺旋曲線圖；

圖3為本發明中的軌跡實施示意圖；

圖4為本發明中超聲波噴膠情況的晶片最佳間距圖；

圖5為本發明中的最佳膠嘴間距時的晶片位置關系圖。

具體實施方式

下面結合附圖及實施例對本發明做進一步的詳細說明。

硬件條件：

為了實現預定的功能，相應的硬件要具備以下條件兩個獨立的運動：

噴嘴（或膠嘴）：沿晶片直徑的直線運動，其運動范圍至少覆蓋整個晶片直徑，且運動時雙向的，如圖1。

晶片：可繞自身軸線進行兩個方向的轉動。

以上兩個硬件的運動是同時、獨立控制。

噴嘴（或膠嘴）與晶片發生相對運動來實現加工過程（如圖1所示），該相對運動有噴嘴（或膠嘴）的直線運動和晶片的旋轉運動來實現，且噴嘴（或膠嘴）的直線運動通過晶片的旋轉運動的中心。通過兩個運動的合成，噴嘴（或膠嘴）與晶片的相對運動軌跡為關于原點對稱的等距螺旋曲線（如圖2所示）。

實施過程：

通過以下方法合成圖2所示的等距螺旋曲線，如圖3。

1.膠嘴從晶片邊緣沿直徑運動到晶圓中心，同時晶片沿一個方向旋轉；

2.膠嘴從晶片中心沿直徑運動到晶圓邊緣，同時晶片反方向旋轉；

3.為了使合成的運動為等距螺旋線，膠嘴（或噴嘴）的直線運動和晶片的旋轉運動需要滿足一定的規律，其解析解如下：