[發(fā)明專利]一種掩模板及其制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310523520.6
• 申請日: 2013-10-30
• 公開（公告）號: CN103556112A
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 魏志凌;高小平;趙錄軍;許鐳芳
• 申請（專利權(quán)）人: 昆山允升吉光電科技有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/24
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

?本發(fā)明涉及一掩模板及其制作方法，具體涉及一種OLED蒸鍍用掩模板及其制作方法。

背景技術(shù)

有機發(fā)光二極管(Organic?Light-Emitting?Diode；OLED)顯示器具有自主發(fā)光、低電壓直流驅(qū)動、全固化、視角寬、顏色豐富等一系列的優(yōu)點，與液晶顯示器相比，OLED顯示器不需要背光源，視角大，功率低，其響應(yīng)速度可達到液晶顯示器的1000倍，其制造成本卻低于同等分辨率的液晶顯示器。因此，OLED顯示器具有廣闊的應(yīng)用前景，逐漸成為未來20年成長最快的新型顯示技術(shù)。

制作有機發(fā)光二極管顯示器時需要用到蒸鍍用的掩模板，通常電鑄工藝制作掩模板的蒸鍍孔與掩模板板面垂直，蒸鍍孔的孔壁對蒸鍍材料產(chǎn)生遮蔽現(xiàn)象，如圖1所示，10為掩模板，11為蒸鍍孔，12為沉積基板，當鍍源材料發(fā)射路線與掩模板板面的角度小于δ時，蒸鍍孔11的孔壁就會對材料產(chǎn)生遮擋，致使有機材料層的厚度不均勻，從而影響蒸鍍質(zhì)量。

而通過激光切割工藝制作掩模板時，切割蒸鍍孔具有一定的角度但蒸鍍孔的精度不高，同樣會影響到掩模板的質(zhì)量。

本發(fā)明主要是針對以上問題提出一種掩模板及其制作方法，較好的解決以上所述問題。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種掩模板及其制作方法，提高掩模板的蒸鍍孔的精度，減小蒸鍍孔的孔壁對蒸鍍材料的遮擋。

本發(fā)明提供一種掩模板，包括掩模板本體及形成在所述掩模板本體上的蒸鍍孔，所述蒸鍍孔貫穿所述掩模板本體，其特征在于：所述掩模板包括蒸鍍面和ITO面，在所述蒸鍍孔中心軸線所在的截面上，所述蒸鍍孔的邊緣線呈漏斗狀。

進一步地，蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面的夾角為30°～60°。

進一步地，ITO面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面垂直。

進一步地，ITO面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面的夾角為60°～90°。

進一步地，掩模板蒸鍍面的厚度為10～50μm。

進一步地，掩模板ITO面的厚度為2～30μm。

進一步地，掩模板的總厚度為12～80μm。

本發(fā)明還提供了一種制作上述所述掩模板的方法，包括電鑄步驟和激光切割步驟，其特征在于：

所述電鑄步驟形成所述掩模板本體以及形成在所述掩模板本體上的通孔，所述激光切割步驟切除所述掩模板蒸鍍面通孔的周邊區(qū)域，形成所述蒸鍍孔。

進一步地，激光切割步驟中激光頭的激光發(fā)射路線與掩模板本體板面之間的夾角調(diào)整范圍為30°～60°。

進一步地，電鑄步驟中形成的掩模板本體的厚度為12～80μm，所述激光切割步驟中切除所述掩模板本體的厚度為2～30μm。

本發(fā)明的有益效果在于，通過本發(fā)明提供的掩模板及其制作方法，通過電鑄工藝制作掩模板蒸鍍孔的精度高，通過激光切割工藝使蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體具有30°～60°的夾角，通過電鑄步驟和激光切割步驟相結(jié)合形成的蒸鍍孔，可有效地減小蒸鍍孔的孔壁對蒸鍍材料的遮擋、提高蒸鍍孔的精度，很好地解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題。

本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實踐了解到。

附圖說明

本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從下面結(jié)合附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中利用掩模板蒸鍍有機材料的截面示意圖；

圖2所示為本發(fā)明提供的掩模板整體平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3所示為圖2中沿A-A方向的一種結(jié)構(gòu)的截面示意圖；

圖4所示為圖2中沿A-A方向的另一種結(jié)構(gòu)的截面示意圖；

圖5所示為本發(fā)明完成貼膜步驟的截面示意圖；

圖6所示為本發(fā)明完成曝光步驟的截面示意圖；

圖7所示為本發(fā)明完成顯影步驟的截面示意圖；

圖8所示為本發(fā)明完成電鑄步驟的截面示意圖；

圖9所示為本發(fā)明完成剝離驟的截面放大示意圖；

圖10所示為本發(fā)明完成激光切割驟的截面放大示意圖；

圖1中，10為掩模板，11為蒸鍍孔，12為沉積基板，δ為蒸鍍源材料發(fā)射路線與掩模板板面的角度；

圖2中，20為掩模板整體，21為蒸鍍孔，22為掩模板本體，A-A為待解剖觀測方向；