[發明專利]存儲器裝置及使用非易失性存儲器對系統進行開機的方法

在審

• 申請號: 201310521695.3
• 申請日: 2013-10-29
• 公開（公告）號: CN104575605A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 郭忠山;陳致豪
• 申請（專利權）人: 晶豪科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/14
• 分類號: G11C16/14;G11C16/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 史新宏

技術領域

本發明涉及一種存儲器裝置；特別涉及一種使用非易失性存儲器元件對系統進行開機的方法以及相關的存儲器裝置。

背景技術

在抹除一非易失性存儲器的過程中，更具體而言，在抹除一非易失性存儲器內的特定區塊的過程中，可能會發生非預期的中斷，例如非預期的電源中斷。在此狀況下，將無法成功執行完整的抹除運作。舉例而言，參照圖1，如果一存儲器區塊已完成預編程(preprogramming)步驟(步驟12)，但在電源中斷時未能完成過抹除校正(Over?Erase?Correction，OEC)步驟(步驟16)，則由于過抹除現象可能導致位線的漏電。當系統再度送電時，未能完成OEC步驟的存儲器區塊所造成的位線漏電可能會影響到共享相同位線的相關聯存儲器區塊。如果該相關聯存儲器區塊用來存儲開機碼(booting?code)時，在系統重新送電后執行開機程序時，系統可能無法讀取開機碼。這會導致很長的開機時間，或者，系統可能會無法開機。

隨著手持式電子裝置的蓬勃發展，系統的穩定度在許多消費性產品中是一個重要的課題。此外，高容量的存儲器元件中會合并越來越多的存儲器區塊。因此，需要解決上述位線漏電現象的方案。

發明內容

根據本發明一實施例的一種使用一非易失性存儲器元件對一系統進行開機的方法，包含以下步驟：當該系統供電時，讀取對應到該非易失性存儲器元件中的至少一存儲器區塊的一狀態標志，該狀態標志的標志值指示施加至該存儲器區塊的一完整的抹除運作是否已完成；根據該狀態標志的標志值對所對應的存儲器區塊選擇性地執行一漏電流抑制程序；以及根據存儲在該非易失性存儲器元件中的一開機碼對該系統進行開機。

根據本發明一實施例的一種存儲器裝置，包含一非易失性存儲器元件，一狀態寄存器，一控制單元以及一漏電流校正單元。該非易失性存儲器元件包含多個存儲器區塊。該狀態寄存器電性連接至該非易失性存儲器元件，其配置以存儲一狀態標志，該狀態標志用以指示施加至該非易失性存儲器元件中的至少一存儲器區塊的一完整的抹除運作是否已完成。該控制單元配置以在該存儲器裝置供電后讀取該狀態標志的標志值。該漏電流校正單元電性連接至該控制單元，其配置以根據該狀態標志的標志值對該等存儲器區塊選擇性地執行一漏電流抑制程序。

附圖說明

圖1顯示一已知的完整的抹除運作的流程圖。

圖2顯示結合本發明一實施例的一存儲器裝置的方塊示意圖。

圖3顯示共享一相同位線的兩存儲器區塊的示意圖。

圖4顯示根據本發明一實施例的該非易失性存儲器元件的一完整的抹除運作的流程圖。

圖5顯示根據本發明一實施例的使用非易失性存儲器元件對系統進行開機的一方法的流程圖。

圖6顯示根據本發明另一實施例的使用非易失性存儲器元件對系統進行開機的一方法的流程圖

【符號說明】

10-18????步驟

200??????存儲器裝置

202??????非易失性存儲器元件

204??????狀態寄存器庫

206??????或門電路

208??????控制單元

210??????漏電流校正單元

212??????第一偏壓電壓產生器

214??????第二偏壓電壓產生器

216??????再抹除單元

32???????開機區塊

34???????數據區塊

36???????感測放大器

400??????完整抹除運作

402-414??步驟

500??????開機方法

502-512??步驟

600??????開機方法

602-612??步驟

BL???????位線

具體實施方式

圖2顯示結合本發明一實施例的一存儲器裝置200的方塊示意圖。參照圖2，該存儲器裝置200包括一非易失性存儲器元件202，一狀態寄存器庫204，一或門電路206，一控制單元208以及一漏電流校正單元210。該漏電流校正單元210包括一第一偏壓電壓產生器212，一第二偏壓電壓產生器214以及一再抹除單元216。