[發明專利]存儲器裝置及使用非易失性存儲器對系統進行開機的方法

在審

• 申請號: 201310521695.3
• 申請日: 2013-10-29
• 公開（公告）號: CN104575605A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 郭忠山;陳致豪
• 申請（專利權）人: 晶豪科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/14
• 分類號: G11C16/14;G11C16/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 史新宏

1.一種使用一非易失性存儲器元件對一系統進行開機的方法，包括：

當該系統供電時，讀取對應到該非易失性存儲器元件中的至少一存儲器區塊的一狀態標志，該狀態標志的標志值指示施加至該存儲器區塊的一完整的抹除運作是否已完成；

根據該狀態標志的標志值對所對應的存儲器區塊選擇性地執行一漏電流抑制程序；以及

根據存儲在該非易失性存儲器元件中的一開機碼對該系統進行開機。

2.如權利要求1所述的方法，其中該根據該狀態標志的標志值對該所對應的存儲器區塊選擇性地執行該漏電流抑制程序的步驟包含：

當該狀態標志指示施加至該存儲器區塊的該完整的抹除運作已完成時，施加一第一偏壓電壓至該存儲器區塊中的未被選擇的存儲器晶胞；以及

當該狀態標志指示施加至該存儲器區塊的該完整的抹除運作未完成時，施加一第二偏壓電壓至該存儲器區塊中的未被選擇的存儲器晶胞；

其中，該第二偏壓電壓的電壓值低于該第一偏壓電壓的電壓值。

3.如權利要求2所述的方法，其中該第二偏壓電壓為一負電壓，且電壓值足以截止一過抹除存儲器晶胞。

4.如權利要求1所述的方法，還包含：

當該系統開機后，對該所對應的存儲器區塊執行一漏電流修復運作。

5.如權利要求1所述的方法，其中該根據該狀態標志的標志值對該所對應的存儲器區塊選擇性地執行該漏電流抑制程序的步驟包含：

當該狀態標志指示施加至該存儲器區塊的該完整的抹除運作未完成時，對該存儲器區塊中的存儲器晶胞進行再抹除運作。

6.如權利要求1所述的方法，其中該非易失性存儲器元件包含多個存儲器區塊，且該讀取對應到該非易失性存儲器元件中的該至少一存儲器區塊的該狀態標志的步驟包含：

讀取該非易失性存儲器元件中的每一存儲器區塊的一狀態標志；以及

通過對所述存儲器區塊的所有狀態標志執行一或運算，藉以獲得一總狀態標志；且該方法還包含：

檢查該總狀態標志以確認該非易失性存儲器元件中是否具有至少一存儲器區塊未完成完整的抹除步驟。

7.一種存儲器裝置，包括：

一非易失性存儲器元件，包含多個存儲器區塊；

一狀態寄存器，電性連接至該非易失性存儲器元件，其配置以存儲一狀態標志，該狀態標志用以指示施加至該非易失性存儲器元件中的至少一存儲器區塊的一完整的抹除運作是否已完成；

一控制單元，其配置以在該存儲器裝置供電后讀取該狀態標志的標志值；以及

一漏電流校正單元，電性連接至該控制單元，其配置以根據該狀態標志的標志值對所述存儲器區塊選擇性地執行一漏電流抑制程序。

8.如權利要求7所述的存儲器裝置，其中該漏電流校正單元包含：

一第一偏壓電壓產生器，其配置以當該狀態標志指示施加至該存儲器區塊的該完整的抹除運作已完成時，施加一第一偏壓電壓至該存儲器區塊中的未被選擇的存儲器晶胞；以及

一第二偏壓電壓產生器，其配置以當該狀態標志指示施加至該存儲器區塊的該完整的抹除運作未完成時，施加一第二偏壓電壓至該存儲器區塊中的未被選擇的存儲器晶胞；

其中，該第二偏壓電壓的電壓值低于該第一偏壓電壓的電壓值。

9.如權利要求8所述的存儲器裝置，其中該第二偏壓電壓為一負電壓，且電壓值足以截止一過抹除存儲器晶胞。

10.如權利要求7所述的存儲器裝置，其中該漏電流校正單元包含：

一再抹除單元，其配置以當該狀態標志指示施加至該存儲器區塊的該完整的抹除運作未完成時，對該存儲器區塊進行一再抹除運作。

11.如權利要求7所述的存儲器裝置，還包含：

多個狀態寄存器；以及

一或門電路，電性連接至所述狀態寄存器，其配置以產生一總狀態標志；

其中，該控制單元在該存儲器裝置供電后讀取該總狀態標志的標志值，且當該總狀態標志指示該非易失性存儲器元件中具有至少一存儲器區塊未完成完整的抹除運作時，該控制單元個別地讀取所述狀態寄存器以找出未完成完整的抹除運作的該存儲器區塊。