[發明專利]用于平板顯示器的背板及其制造方法在審
| 申請號: | 201310520918.4 | 申請日: | 2013-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN103915446A | 公開(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發明(設計)人: | 金民圭;牟然坤 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艷春 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 平板 顯示器 背板 及其 制造 方法 | ||
相關專利申請的交叉引用
本申請要求2013年1月3日提交到韓國知識產權局的第10-2013-0000633號韓國專利申請的優先權和權益,該申請公開的全文通過引用并入本文。
技術領域
本發明涉及用于平板顯示器的背板以及該背板的制造方法。
背景技術
如有機發光顯示裝置或者液晶顯示器(LCD)的平板顯示器可以被制造在基板上,在該基板上形成包括至少一個驅動薄膜晶體管(TFT)、電容器和用于將驅動TFT耦合(或連接)到電容器的接線的圖案,以驅動平板顯示器。驅動TFT可以包括:柵電極、通過柵極絕緣層與柵電極電絕緣的有源層、電耦合(或連接)到有源層的源電極、和電耦合(或連接)到有源層的漏電極。此外,平板顯示器可以包括用于控制驅動TFT的開關晶體管。
通常,為了在制造平板顯示器的基板上形成包括TFT等的分鐘圖案(minute?pattern),繪制有分鐘圖案的掩模被使用以將分鐘圖案轉印在(或到)基板上。
因為將圖案轉印在(或到)基板上的工藝使用包括圖案的掩模,所以隨著使用掩模的工藝步驟數量的增加,用于掩模制備的制造費用增加。此外,由于復雜的步驟,制造工藝可能復雜,并由此可能導致制造時間和制造費用的增加。
近年來,已使用低電阻接線以實現高密度且高分辨率的有機發光顯示裝置,并且由于結構的復雜性已經導致了制造有機發光顯示裝置的工藝步驟數量的增加。
發明內容
本發明的方面提供一種用于平板顯示器的背板,該背板能夠被適用于高分辨率和高密度的平板顯示器,并且該背板減少使用掩模的圖案化工藝步驟的數量,并且改善(或提高)了品質。
本說明書還記載了本發明的其他方面,這些方面部分地通過說明書的描述而變得顯現,或者可以在本申請中的實施方式的實踐中獲得。
根據本發明實施方式,提供了用于平板顯示器的背板,該背板包括:基板;柵電極,位于基板上;第一電容器,位于基板上;第一電容器,該第一電容器包括第一電極、位于第一電極上的絕緣圖案層和位于絕緣圖案層上的第二電極;第一絕緣層,位于基板上用來覆蓋柵電極和第一電容器;有源層,位于第一絕緣層上用來與柵電極對應;以及源電極和漏電極,位于基板上方用來與有源層的一部分接觸。
背板還可以包括:第三電極,與第一電容器對應并且在與源電極和漏電極相同的層上。
背板還可以包括:第二絕緣層,位于第一絕緣層上用來覆蓋有源層,該第二絕緣層包括第一孔和第二孔以暴露有源層的一部分,其中源電極和漏電極位于第二絕緣層上并且填充第一孔和第二孔。
背板還可以包括:第三絕緣層,位于第一絕緣層上用來覆蓋源電極、漏電極和第三電極,其中第三絕緣層可以包括第三孔以暴露源電極或漏電極的一部分。
背板還可以包括:像素電極,位于第三絕緣層上并且填充第三孔并且通過第三孔電耦合到源電極或漏電極。
背板還可以包括:第四電極,位于第三絕緣層上并且與第一電容器對應。
背板還可以包括:第四絕緣層,在第三絕緣層上覆蓋像素電極的邊緣并且包括開口以暴露像素電極的至少一部分;中間層,位于通過開口暴露的像素電極上并且包括有機發光層;以及相對電極,與像素電極相對,該中間層介入于相對電極與像素電極之間。
第一電極可以包括與柵電極相同的材料。
有源層可以包括氧化物半導體。
柵電極和第一電容器可以通過使用半色調掩模形成。
第一電極、絕緣圖案層和第二電極的橫向側位置可以彼此相同。
絕緣圖案層的介電常數可以高于第一絕緣層的介電常數。
絕緣圖案層可以包括選自ZrOx、HfOx、AlOx、SiNx、SiNOx和SiOx中的至少一種材料。
根據本發明的另一實施方式,提供一種用于平板顯示器的背板的制造方法,該方法包括:在基板上形成第一電容器和柵電極,該第一電容器包括第一電極、位于第一電極上的絕緣圖案層和位于絕緣圖案層上的第二電極;在基板上形成第一絕緣層以覆蓋第一電容器和柵電極;在第一絕緣層上形成有源層以與柵電極對應;在第一絕緣層上形成第二絕緣層,其覆蓋有源層的同時提供第一孔和第二孔以暴露有源層的一部分;以及在基板上方形成源電極和漏電極以與有源層的一部分接觸。
形成源電極和漏電極的步驟還可以包括:形成第三電極以與第一電容器對應。
源電極和漏電極可以被形成在第二絕緣層上并且填充第一孔和第二孔。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





