[發(fā)明專利]用于平板顯示器的背板及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310520918.4 | 申請(qǐng)日: | 2013-10-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103915446A | 公開(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金民圭;牟然坤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艷春 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 平板 顯示器 背板 及其 制造 方法 | ||
1.一種用于平板顯示器的背板,所述背板包括:
基板;
柵電極,位于所述基板上;
第一電容器,位于所述基板上,所述第一電容器包括第一電極、位于所述第一電極上的絕緣圖案層、和形成在所述絕緣圖案層上的第二電極;
第一絕緣層,位于所述基板上用來(lái)覆蓋所述柵電極和所述第一電容器;
有源層,位于所述第一絕緣層上,與所述柵電極對(duì)應(yīng);以及
源電極和漏電極,位于所述基板上方,并與所述有源層的一部分接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的背板,還包括:
第三電極,與所述第一電容器對(duì)應(yīng)并且位于與所述源電極和所述漏電極相同的層上。
3.如權(quán)利要求1所述的背板,還包括:
第二絕緣層,位于所述第一絕緣層上用來(lái)覆蓋所述有源層,所述第二絕緣層包括第一孔和第二孔以暴露所述有源層的一部分,其中所述源電極和所述漏電極位于所述第二絕緣層上并且填充所述第一孔和所述第二孔。
4.如權(quán)利要求2所述的背板,還包括:
第三絕緣層,位于所述第一絕緣層上用來(lái)覆蓋所述源電極、所述漏電極和所述第三電極,其中所述第三絕緣層包括第三孔以暴露所述源電極或所述漏電極的一部分。
5.如權(quán)利要求4所述的背板,還包括:
像素電極,位于所述第三絕緣層上并填充所述第三孔,并且通過所述第三孔電耦合到所述源電極或所述漏電極。
6.如權(quán)利要求4所述的背板,還包括:
第四電極,位于所述第三絕緣層上并且與所述第一電容器對(duì)應(yīng)。
7.如權(quán)利要求5所述的背板,還包括:
第四絕緣層,在所述第三絕緣層上覆蓋所述像素電極的邊緣并且包括開口以暴露所述像素電極的至少一部分;
中間層,位于通過所述開口暴露的所述像素電極上并且包括有機(jī)發(fā)光層;以及
相對(duì)電極,與所述像素電極相對(duì),所述中間層介入于所述相對(duì)電極與所述像素電極之間。
8.如權(quán)利要求1所述的背板,其中,
所述第一電極包括與所述柵電極相同的材料。
9.如權(quán)利要求1所述的背板,其中,
所述有源層包括氧化物半導(dǎo)體。
10.如權(quán)利要求1所述的背板,其中,
所述柵電極和所述第一電容器通過使用半色調(diào)掩模形成。
11.如權(quán)利要求1所述的背板,其中,
所述第一電極、所述絕緣圖案層和所述第二電極的橫向側(cè)的位置彼此相同。
12.如權(quán)利要求1所述的背板,其中,
所述絕緣圖案層的介電常數(shù)高于所述第一絕緣層的介電常數(shù)。
13.如權(quán)利要求1所述的背板,其中,
所述絕緣圖案層包括選自ZrOx、HfOx、AlOx、SiNx、SiNOx和SiOx中的至少一種材料。
14.一種制造用于平板顯示器的背板的方法,所述方法包括:
在基板上形成第一電容器和柵電極,所述第一電容器包括第一電極、位于第一電極上的絕緣圖案層和位于絕緣圖案層上的第二電極;
在所述基板上形成第一絕緣層以覆蓋所述第一電容器和所述柵電極;
在所述第一絕緣層上形成有源層以與所述柵電極對(duì)應(yīng);
在所述第一絕緣層上形成第二絕緣層,所述第二絕緣層覆蓋所述有源層,同時(shí)提供第一孔和第二孔以暴露所述有源層的一部分;以及
在所述基板上方形成源電極和漏電極以與所述有源層的一部分接觸。
15.如權(quán)利要求14所述的方法,其中,
形成所述源電極和所述漏電極的步驟包括:進(jìn)一步形成第三電極以與所述第一電容器對(duì)應(yīng)。
16.如權(quán)利要求14所述的方法,其中,
所述源電極和所述漏電極被形成在所述第二絕緣層上并且填充所述第一孔和所述第二孔。
17.如權(quán)利要求15所述的方法,還包括:
在所述第二絕緣層上形成第三絕緣層以覆蓋所述源電極、所述漏電極和所述第三電極,其中所述第三絕緣層包括第三孔以暴露所述源電極或所述漏電極的一部分。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





