[發明專利]一種存儲器裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201310519887.0
• 申請日: 2013-10-29
• 公開（公告）號: CN104424134A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: 陳士弘
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G06F12/16
• 分類號: G06F12/16
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種存儲器裝置，包括：

一存儲單元陣列，位于一陣列層級晶粒中，該存儲單元陣列包括多個子陣列，每個子陣列耦接至對應的數據線；

多個頁面緩沖器，在這些子陣列中用于對應的子陣列，這些頁面緩沖器是位于一頁面緩沖器層級晶粒中；以及

多個晶粒間的連接部，將位于該頁面緩沖器層級晶粒中的這些頁面緩沖器電性耦接至位于該陣列層級晶粒中的對應的子陣列的這些數據線。

2.根據權利要求1所述的存儲器裝置，更包括一陣列頁面寬度總線，該陣列頁面寬度總線位于該頁面緩沖器層級晶粒中，其中該頁面緩沖器層級晶粒包括一數目P的頁面緩沖器，該頁面緩沖器具有對應的子陣列頁面寬度，用于對應的子陣列，在該頁面緩沖器層級晶粒中，每該子陣列耦接至該陣列頁面寬度總線的P個子陣列頁面寬度段所對應的其中之一。

3.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中這些子陣列是位于該陣列層級晶粒的各個位置中的多個子陣列區域之內，且連接于該頁面緩沖器層級晶粒中的這些頁面緩沖器的這些晶粒間的連接部，被連接至位于該相對應的子陣列的這些子陣列區域之內的數據線。

4.根據權利要求1所述的存儲器裝置，更包括多個開關，這些開關位于這些子陣列中，用于選擇性地將這些子陣列中的位線連接至這些子陣列中的數據線。

5.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中位于該子陣列中的位線被連接至這些子陣列中的數據線。

6.根據權利要求1所述的存儲器裝置，更包括周邊電路及多個接觸焊墊，位于該頁面緩沖器層級晶粒中。

7.根據權利要求1所述的存儲器裝置，更包括周邊電路及多個接觸焊墊，位于一周邊電路層級晶粒中。

8.根據權利要求1所述的存儲器裝置，更包括一地址譯碼器，位于該陣列層級晶粒中。

9.根據權利要求8所述的存儲器裝置，其中這些存儲單元與該地址譯碼器是通過使用薄膜晶體管而形成。

10.根據權利要求1所述的存儲器裝置，更包括一地址譯碼器，位于該頁面緩沖器層級晶粒中。

11.根據權利要求1所述的存儲器裝置，更包括一第三層級晶粒，及多個晶粒間的連接部，這些晶粒間的連接部將該頁面緩沖器層級晶粒中的這些頁面緩沖器電性耦接至該第三層級晶粒中的電路。

12.根據權利要求11所述的存儲器裝置，其中該第三層級晶粒中的電路包括一控制器、一易失性存儲器單元或一通用處理器。

13.根據權利要求11所述的存儲器裝置，其中該第三層級晶粒中的該電路用于執行一個或多個錯誤碼校正功能。

14.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中兩個以上的這些子存儲單元陣列是具體形成為一獨立磁盤冗余儲存陣列。

15.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中該存儲單元陣列包括多個三維垂直柵極與非門存儲單元或多個三維垂直通道與非門存儲單元。

16.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中這些晶粒間的連接部包括多個硅通孔。

17.一種存儲器裝置的制造方法，包括：

在一陣列層級晶粒中形成一存儲單元陣列，該存儲單元陣列包括多個子陣列，每該子陣列耦接至對應的數據線；

形成多個頁面緩沖器，用于這些子陣列中的對應的子陣列，這些頁面緩沖器是位于一頁面緩沖器層級晶粒中；以及

形成多個晶粒間的連接部，這些晶粒間的連接部將位于該頁面緩沖器層級晶粒中的這些頁面緩沖器電性，耦接至位于該陣列層級晶粒中對應這些子陣列的數據線。

18.根據權利要求17所述的方法，更包括：在該頁面緩沖器層級晶粒中形成一陣列頁面寬度總線，其中該頁面緩沖器層級晶粒包括一數目P的頁面緩沖器，其具有對應的子陣列頁面寬度用于對應的子陣列，在該頁面緩沖器層級晶粒中，每該子陣列耦接至該陣列頁面寬度總線的P個子陣列頁面寬度段所對應的其中之一。

19.根據權利要求17所述的方法，其中這些子陣列中是位于該陣列層級晶粒中的各個位置中的多個子陣列區域之內，且連接于該頁面緩沖器層級晶粒中的這些頁面緩沖器的這些晶粒間的連接部，被連接至位于該相對應的子陣列的這些子陣列區域之內的位置的這些數據線。

20.根據權利要求17所述的方法，其中這些子陣列包括多個開關，用于選擇性地將這些子陣列中的位線連接至這些子陣列中的這些數據線。