[發(fā)明專利]一種低噪聲延遲電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310517915.5 | 申請日： | 2013-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN103546126A | 公開（公告）日： | 2014-01-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 尹航;王釗 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫中星微電子有限公司 |
| 主分類號： | H03K5/14 | 分類號： | H03K5/14;H03K3/013 |
| 代理公司： | 北京億騰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 11309 | 代理人： | 陳霽 |
| 地址： | 214135 江蘇省無錫市無錫*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 噪聲 延遲 電路 | ||
1.一種低噪聲延遲電路，其特征在于，包括延遲電路和反饋控制電路，
所述延遲電路包括第一PMOS晶體管、第一NMOS晶體管、電阻、充電電容以及第二PMOS晶體管和第二NMOS晶體管組成的反相器，所述第一、第二PMOS管的源極連接電源、所述第一NMOS晶體管和第一PMOS管的柵極連接輸入端、所述第二NMOS晶體管的源極和第二PMOS晶體管的漏極的公共節(jié)點(diǎn)連接輸出端，所述電阻一端連接在所述第一PMOS晶體管的漏極、另一端連接在所述第一NMOS晶體管的源極、所述充電電容第一端接地，第二端連接在所述反相器和所述電阻和所述第一NMOS晶體管的公共節(jié)點(diǎn)；
所述反饋控制電路包括第三MPOS晶體管和第四PMOS晶體管，所述第四PMOS晶體管的柵極連接所述輸出端，所述第四PMOS晶體管的源極連接在所述第三PMOS晶體管的漏極，所述第四PMOS晶體管的漏極連接在所述充電電容的第二端，所述第三PMOS晶體管的柵極連接所述輸入端，所述第三PMOS晶體管的源極連接所述電源。
2.如權(quán)利要求1所述的低噪聲延遲電路，其特征在于，所述輸入端的輸入信號從高變低時，所述第一NMOS晶體管截止，所述第一PMOS晶體管導(dǎo)通，所述充電電容儲存電能，當(dāng)所述充電電容兩端的電壓達(dá)到所述反相器的翻轉(zhuǎn)電平時，所述第二NMOS晶體管導(dǎo)通，以使得所述輸出端電壓降低，所述第四PMOS晶體管導(dǎo)通，所述第三PMOS晶體管導(dǎo)通，以提高所述充電電容的第二端的電壓。
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