[發(fā)明專利]噴淋頭及反應(yīng)腔室無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310516968.5 | 申請(qǐng)日: | 2013-10-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103526185A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-01-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 譚華強(qiáng);喬徽;林翔;蘇育家 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 光達(dá)光電設(shè)備科技(嘉興)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/455 | 分類號(hào): | C23C16/455 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
| 地址: | 314300 浙江省嘉興市*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 噴淋 反應(yīng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,特別是一種噴淋頭及反應(yīng)腔室。
背景技術(shù)
自GaN(氮化鎵)基第三代半導(dǎo)體材料的興起,藍(lán)光LED(發(fā)光二極管)研制成功,LED的發(fā)光強(qiáng)度和白光發(fā)光效率不斷提高。LED被認(rèn)為是下一代進(jìn)入通用照明領(lǐng)域的新型固態(tài)光源,因此得到廣泛關(guān)注。
現(xiàn)有技術(shù)的白光LED的制造工藝通常在一個(gè)具有溫度控制的環(huán)境下的反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行。通常,將III族源氣體和V族源氣體分別通入化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔內(nèi),III族源氣體和V族源氣體在反應(yīng)腔內(nèi)反應(yīng)以在襯底上形成III-V族材料薄膜。
現(xiàn)有技術(shù)的噴淋頭請(qǐng)參考圖1,包括多層氣體腔室,例如包括第一氣體腔室1和第二氣體腔室2,或者其他數(shù)量,所述第一氣體腔室1具有第一氣體通道11,所述第二氣體腔室2具有第二氣體通道21,分別用于將來(lái)自氣體腔室中的反應(yīng)氣體傳送至所述噴淋頭下方的反應(yīng)區(qū)域。然后來(lái)自不同氣體腔室中的反應(yīng)氣體在襯底上反應(yīng),從而形成所需要的膜層。
隨著各類器件精密度的提高,目前需要在生產(chǎn)過(guò)程中嚴(yán)格把控成膜的質(zhì)量,一個(gè)影響因素是反應(yīng)氣體的均勻性和穩(wěn)定性,通常可以采用增加氣體通道數(shù)量的方法來(lái)提高均勻性和穩(wěn)定性。但是這一方面會(huì)使得噴淋頭的構(gòu)造復(fù)雜,制作難度加大,另一方面,由于氣體腔室具有一定的空間,來(lái)自外部的氣體管路通入反應(yīng)氣體后,在氣體腔室中的反應(yīng)氣體也會(huì)分布不均勻,那么僅僅通過(guò)密布排列的氣體通道,對(duì)解決氣體的均勻性和穩(wěn)定性是不甚理想。
因此,目前的噴淋頭并不合理,需要對(duì)其進(jìn)行改善。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種噴淋頭及反應(yīng)腔室,以解決現(xiàn)有技術(shù)中的噴淋頭流出的反應(yīng)氣體的均勻性和穩(wěn)定性差的問(wèn)題。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提供一種噴淋頭,用于向反應(yīng)區(qū)域提供反應(yīng)氣體,所述噴淋頭包括第一氣體腔室,其中,所述第一氣體腔室具有自上而下相對(duì)設(shè)置的第一板和第二板,所述第二板為一預(yù)分配板,所述預(yù)分配板中具有多個(gè)預(yù)分配通道,反應(yīng)氣體經(jīng)過(guò)預(yù)分配通道被分配在多個(gè)區(qū)域中,所述第一氣體腔室具有多個(gè)第一氣體通道,所述第一氣體通道與預(yù)分配通道相連通,用于將第一氣體腔室中的氣體輸送至反應(yīng)區(qū)域。
相應(yīng)的,本發(fā)明提供一種反應(yīng)腔室,包括:腔體、用于裝載襯底的托盤和噴淋頭,所述托盤設(shè)置于所述腔體的底部,所述噴淋頭設(shè)置在所述腔體的頂部并與所述托盤相對(duì)設(shè)置,所述托盤與所述噴淋頭之間限定氣體反應(yīng)區(qū)域,所述噴淋頭用于向所述反應(yīng)區(qū)域輸出反應(yīng)氣體,所述噴淋頭為如上所述的噴淋頭。
本發(fā)明提供的噴淋頭及反應(yīng)腔室,所述噴淋頭的第一氣體腔室包括自上而下相對(duì)設(shè)置的第一板和第二板,所述第二板為一預(yù)分配板,所述預(yù)分配板中具有多個(gè)預(yù)分配通道,反應(yīng)氣體經(jīng)過(guò)預(yù)分配通道被分配在多個(gè)區(qū)域中。相比現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明提供的噴淋頭中,使得由外部通入的氣體先進(jìn)行預(yù)分配,從而提高了反應(yīng)氣體在第一氣體腔室中的均勻性,也進(jìn)而改善了反應(yīng)氣體的穩(wěn)定性,那么當(dāng)反應(yīng)氣體從氣體通道流出至反應(yīng)區(qū)域時(shí),能夠獲得較佳的分布情況,從而有利于提高成膜質(zhì)量。
附圖說(shuō)明
圖1為現(xiàn)有技術(shù)的噴淋頭的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的噴淋頭的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本發(fā)明一實(shí)施例的噴淋頭第二板的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例的噴淋頭第二板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明的噴淋頭及反應(yīng)腔室進(jìn)行更詳細(xì)的描述,其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例,應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明,而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此,下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道,而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。
為了清楚,不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中,不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu),因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開(kāi)發(fā)中,必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開(kāi)發(fā)者的特定目標(biāo),例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制,由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外,應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開(kāi)發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的,但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)僅僅是常規(guī)工作。
在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是,附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例,僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的





