[發明專利]噴淋頭及反應腔室無效
| 申請號: | 201310516968.5 | 申請日: | 2013-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN103526185A | 公開(公告)日: | 2014-01-22 |
| 發明(設計)人: | 譚華強;喬徽;林翔;蘇育家 | 申請(專利權)人: | 光達光電設備科技(嘉興)有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
| 地址: | 314300 浙江省嘉興市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 噴淋 反應 | ||
1.一種噴淋頭,用于向反應區域提供反應氣體,所述噴淋頭包括第一氣體腔室,其特征在于,所述第一氣體腔室具有自上而下相對設置的第一板和第二板,所述第二板為一預分配板,所述預分配板中具有多個預分配通道,反應氣體經過預分配通道被分配在多個區域中,所述第一氣體腔室具有多個第一氣體通道,所述第一氣體通道與預分配通道相連通,用于將第一氣體腔室中的氣體輸送至反應區域。
2.如權利要求1所述的噴淋頭,其特征在于,所述預分配通道為貫穿所述預分配板上下表面的條形通道,預分配通道的寬度為1-10mm,相鄰預分配通道之間的間距為5-30mm。
3.如權利要求1所述的噴淋頭,其特征在于,所述預分配板為圓形,所述預分配板在圓周方向被均勻分為多個扇形區域,每個扇形區域內的預分配通道關于該扇形區域內作為中線的半徑呈軸對稱排布。
4.如權利要求3所述的噴淋頭,其特征在于,呈軸對稱排布的兩個預分配通道在所述半徑上共端點,形成“人”字型。
5.如權利要求3所述的噴淋頭,其特征在于,每個扇形區域內的預分配通道間隔均勻。
6.如權利要求2所述的噴淋頭,其特征在于,至少一個所述預分配通道在通道的延伸方向具有多個彎折,呈折線形。
7.如權利要求1所述的噴淋頭,其特征在于,所述噴淋頭還包括位于所述第二板下方的第三板,所述第二板與第三板之間具有多個條狀氣體槽,所述條狀氣體槽的側壁一端貼靠于所述預分配通道,所述第一氣體通道設置于所述條狀氣體槽的側壁中,相鄰所述條狀氣體槽的側壁與所述第二板和第三板構成第二氣體腔室,所述第三板中插入有第二氣體通道,所述第二氣體通道連通第二氣體腔室和反應區域。
8.如權利要求7所述的噴淋頭,其特征在于,所述條狀氣體槽的側壁一體成型于所述第二板朝向所述第三板的一面。
9.如權利要求7所述的噴淋頭,其特征在于,所述條狀氣體槽的側壁一體成型于所述第三板朝向所述第二板的一面。
10.如權利要求8或9所述的噴淋頭,其特征在于,所述噴淋頭還包括位于所述第三板下方的第四板,所述第三板和第四板限定冷卻腔室,所述第一氣體通道和第二氣體通道貫穿冷卻腔室。
11.如權利要求10所述的噴淋頭,其特征在于,所述第一板、第二板、第三板和第四板通過固定件固定在一起;或者,通過焊接連接在一起;或者采用固定件和焊接相結合的方式固定。
12.如權利要求10所述的噴淋頭,其特征在于,所述第一氣體腔室通入第一氣體,所述第二氣體腔室通入第二氣體,所述第一氣體為III族氣體,所述第二氣體為V族氣體。
13.一種反應腔室,包括:腔體、用于裝載襯底的托盤和噴淋頭,所述托盤設置于所述腔體的底部,所述噴淋頭設置在所述腔體的頂部并與所述托盤相對設置,所述托盤與所述噴淋頭之間限定氣體反應區域,所述噴淋頭用于向所述反應區域輸出反應氣體;其特征在于,所述噴淋頭為如權利要求1-12中任意一項所述的噴淋頭。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





