[發明專利]像素結構在審
| 申請號: | 201310516190.8 | 申請日: | 2013-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN104049421A | 公開(公告)日: | 2014-09-17 |
| 發明(設計)人: | 林冠嶧;舒芳安;余宗瑋 | 申請(專利權)人: | 元太科技工業股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1343 | 分類號: | G02F1/1343;G02F1/1337 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019 | 代理人: | 壽寧;張華輝 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 結構 | ||
技術領域
本發明是有關于一種像素結構,且特別是有關于一種電極上設置有狹縫的像素結構。
背景技術
目前市場上常見的平面顯示器主要是以像素數組基板驅動顯示介質來實現影像的顯示,其中像素數組基板上設置有數組排列的多個像素結構。一般而言,像素結構大多由一主動元件以及連接于主動元件的像素電極所構成,其中像素電極的圖案設計可以影響像素結構所提供的電場形式以實現不同顯示面板的應用。舉例而言,共平面切換式(In-Plane?Switching,IPS)液晶顯示面板與邊際場切換式(Fr?inge?Field?Switching,FFS)液晶顯示面板都是借由在像素電極上設置多個狹縫來實現所需要的驅動電場。
不過,基于像素電極具有一定的厚度,多個狹縫的像素電極也讓像素結構具有不平坦的表面。此時,為了導引液晶層的液晶分子呈現特定排列而在像素電極上配置的配向層將順應像素電極的狹縫而起伏。如此,在配向層上進行摩擦配向處理時將發生配向不均勻的情形而不利于液晶顯示面板的質量。
有鑒于上述現有的像素結構存在的缺陷,本發明人基于從事此類產品設計制造多年豐富的實務經驗及專業知識,并配合學理的運用,積極加以研究創新,以期創設一種新型的像素結構,能夠改進一般現有的像素結構,使其更具有實用性。經過不斷的研究、設計,并經過反復試作樣品及改進后,終于創設出確具實用價值的本發明。
發明內容
本發明的目的在于,提供一種像素結構,其具有理想的表面平坦性。
本發明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據本發明提出的像素結構,配置于基板上,該像素結構包括:主動元件,配置于該基板上;第一電極,配置于該基板上并且該第一電極具有多個第一狹縫,其中該第一電極的厚度為至第二電極,配置于該基板上,電性獨立于該第一電極且該第二電極的面積至少部分地位于該些第一狹縫中,其中該第一電極與該第二電極其中一者電性連接至該主動元件;以及配向層,至少覆蓋該第一電極以及該些第一狹縫。
本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。
前述的像素結構,其中該第二電極位于該第一電極與該基板之間。
前述的像素結構,更包括絕緣層,配置于該第一電極與該第二電極之間。
前述的像素結構,其中該第二電極與該第一電極同平面,且該第二電極具有多個第二狹縫使該第一電極至少部分地位于該些第二狹縫中。
前述的像素結構,其中該第二電極的厚度為至
前述的像素結構,其中該配向層更覆蓋該第二電極以及該些第二狹縫。
前述的像素結構,其中該第二電極的光穿透率為60%至100%。
前述的像素結構,其中該第一電極與該第二電極的另一者連接至共享電位。
前述的像素結構,其中該第一電極電性連接至該主動元件。
前述的像素結構,更包括連接電極,該連接電極連接于該主動元件與該第一電極之間。
前述的像素結構,其中該連接電極的厚度大于該第一電極的厚度。
前述的像素結構,其中該第一電極的材質包括金屬、金屬氧化物或上述的組合。
前述的像素結構,其中該第一電極的光穿透率為60%至100%。
本發明與現有技術相比具有明顯的優點和有益效果。借由上述技術方案,本發明像素結構可達到相當的技術進步性及實用性,并具有產業上的廣泛利用價值,其至少具有下列優點:基于上述,本發明實施例的電極具有多個狹縫,且厚度薄。因此,電極不會在像素結構造成顯著的起伏。此時,覆蓋于電極上的配向層可以具有理想的配向均勻性而有助于提升像素結構的質量。
上述說明僅是本發明技術方案的概述,為了能夠更清楚了解本發明的技術手段,而可依照說明書的內容予以實施,并且為了讓本發明的上述和其他目的、特征和優點能夠更明顯易懂,以下特舉較佳實施例,并配合附圖,詳細說明如下。
附圖說明
圖1為本發明第一實施例的像素結構的俯視示意圖。
圖2為圖1的像素結構沿剖線M-M的剖面示意圖。
圖3為本發明第二實施例的像素結構的剖面示意圖。
圖4為本發明第三實施例的像素結構的剖面示意圖。
圖5為本發明第四實施例的像素結構的俯視示意圖。
圖6為圖5的像素結構沿剖線N-N的剖面示意圖。
圖7為本發明第五實施例的像素結構的剖面示意圖。
10:基板
100、200、300、400、500:像素結構
110:主動元件
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