[發(fā)明專利]像素結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310516190.8
• 申請(qǐng)日: 2013-10-24
• 公開（公告）號(hào): CN104049421A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林冠嶧;舒芳安;余宗瑋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 元太科技工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1343
• 分類號(hào): G02F1/1343;G02F1/1337
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種像素結(jié)構(gòu)，配置于基板上，其特征在于該像素結(jié)構(gòu)包括：

主動(dòng)元件，配置于該基板上；

第一電極，配置于該基板上并且該第一電極具有多個(gè)第一狹縫，其中該第一電極的厚度為至

第二電極，配置于該基板上，電性獨(dú)立于該第一電極且該第二電極的面積至少部分地位于該些第一狹縫中，其中該第一電極與該第二電極其中一者電性連接至該主動(dòng)元件；以及

配向?qū)?，至少覆蓋該第一電極以及該些第一狹縫。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二電極位于該第一電極與該基板之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于其更包括絕緣層，配置于該第一電極與該第二電極之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二電極與該第一電極同平面，且該第二電極具有多個(gè)第二狹縫使該第一電極至少部分地位于該些第二狹縫中。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二電極的厚度為至

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該配向?qū)痈采w該第二電極以及該些第二狹縫。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二電極的光穿透率為60％至100％。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一電極與該第二電極的另一者連接至共享電位。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一電極電性連接至該主動(dòng)元件。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于其更包括連接電極，該連接電極連接于該主動(dòng)元件與該第一電極之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該連接電極的厚度大于該第一電極的厚度。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一電極的材質(zhì)包括金屬、金屬氧化物或上述的組合。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一電極的光穿透率為60％至100％。