[發明專利]半導體存儲裝置以及利用其控制外部電壓的方法

有效

• 申請號: 201310516040.7
• 申請日: 2013-10-28
• 公開（公告）號: CN104123968B
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發明（設計）人: 金淵郁;樸宰范
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;毋二省

一種根據本實施例的半導體存儲裝置包括：外部連接端子，所述外部連接端子被配置成供應外部電壓；熔絲單元，所述熔絲單元被配置成執行熔絲斷裂操作；以及中斷電路單元，所述中斷電路單元被配置成響應于測試信號而判定外部連接端子是否與熔絲單元連接。

相關申請的交叉引用

本申請要求2013年4月24日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2013-0045530的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

各種實施例涉及一種半導體裝置，更具體而言，涉及一種半導體存儲裝置和一種電壓電路，所述電壓電路用于一種利用所述半導體存儲裝置控制外部電壓的方法。

背景技術

半導體存儲裝置被封裝成作為產品發布。然而，即使封裝的半導體存儲裝置具有1比特的小缺陷，封裝的半導體存儲裝置也會被視為有缺陷的產品，使得封裝的半導體存儲裝置不能作為產品發布。

為了修復小缺陷，半導體存儲裝置包括熔絲以被修復，然后可以作為產品發布。

利用熔絲的半導體存儲裝置的缺陷修復操作將高電壓從外部施加至半導體存儲裝置以切斷熔絲，由此修復有缺陷的比特。熔絲切斷操作被稱作為斷裂（rupture）操作。

此外，由于在執行半導體存儲裝置的斷裂操作和測試操作期間，從外部施加的高電壓連續地經由外部連接端子施加，所以半導體存儲裝置會錯誤地操作。

發明內容

在本發明的一個實施例中，一種半導體存儲裝置包括：外部連接端子，所述外部連接端子被配置成供應外部電壓；熔絲單元，所述熔絲單元被配置成執行熔絲斷裂操作；以及中斷電路單元，所述中斷電路單元被配置成響應于測試信號而判定外部連接端子是否與熔絲單元連接。

在本發明的一個實施例中，一種半導體存儲裝置包括：熔絲單元，所述熔絲單元被配置成執行熔絲斷裂操作；以及中斷電路單元，所述中斷電路單元被配置成響應于測試信號而判定熔絲單元是否施加有第一電壓。

在本發明的一個實施例中，一種控制外部電壓的方法包括以下步驟：判定是否執行熔絲斷裂操作；當執行熔絲斷裂操作時，將外部電壓施加至熔絲單元；以及當不執行熔絲斷裂操作時，隨著泵浦內部電壓，通過將具有與外部電壓相同電平的電壓提供給中斷電路單元來中斷外部電壓的供應。

在本發明的一個實施例中，一種半導體存儲裝置包括：外部連接端子，所述外部連接端子被配置成供應比內部電壓更高的電壓；以及中斷電路單元，所述中斷電路單元施加有內部電壓，并且被配置成響應于測試信號而判定當測試信號被使能或禁止時外部連接端子是否與熔絲單元連接。

在以下標題為“具體實施方式”的部分描述這些和其它的特點、方面以及實施例。

附圖說明

結合附圖描述本發明的特點、方面和實施例，其中：

圖1是根據本發明的一個實施例的半導體存儲裝置的示意性框圖；

圖2是根據本發明的一個實施例的半導體存儲裝置的詳細框圖；

圖3是根據本發明的一個實施例的半導體存儲裝置的示意性框圖；

圖4是根據本發明的一個實施例的半導體存儲裝置的詳細框圖；

圖5是描述一種控制根據本發明的一個實施例的半導體存儲裝置的外部電壓的方法的流程圖。

具體實施方式

在下文中，將參照附圖來更詳細地描述優選的實施例。

圖1是根據本發明的一個實施例的半導體存儲裝置1的示意性框圖。

參見圖1，半導體存儲裝置1可以包括外部連接端子100、熔絲單元200以及中斷電路單元300。