[發明專利]一種納米印章的制備方法

無效

• 申請號: 201310514080.8
• 申請日: 2013-10-25
• 公開（公告）號: CN103529645A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 王晶
• 申請（專利權）人: 無錫英普林納米科技有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 成立珍

技術領域

本發明涉及微加工領域，具體涉及一種納米印章的制備方法。

背景技術

傳統的電子束加工納米壓印印章，刻蝕時去除速率慢，樣品會受到一定程度的損傷，同時產率低，制備出來的產品不理想。

發明內容

發明目的：為了克服現有技術中存在的不足，本發明提供的納米印章的制備方法，工藝簡單、效率高，適合推廣應用。

技術方案：為解決上述技術問題，本發明的采用的技術方案為：一種納米印章的制備方法，包括如下步驟：

（1）在基片上放置一層金屬鉻膜；

（2）在金色鉻膜上旋涂一層光刻膠；

（3）用全息曝光法將圖案掩膜轉移到光刻膠上；

（4）顯影，然后用去鉻液將光刻圖案從光刻膠上轉移到鉻膜上；

（5）用等離子體將多余的光刻膠去除，然后用氬離子束進行刻蝕；

（6）刻蝕完成后用去鉻液將鉻膜去除，即可得到所需的納米印章。

作為優選，所述步驟（3）中的全息曝光法采用的是He-Cd激光器。

作為優選，所述步驟（6）中的刻蝕在室溫進行。

有益效果：本發明提供的納米印章的制備方法無需逐行掃描刻蝕，只需曝光一次，即可在大面積上形成圖案，降低了制造成本；操作步驟簡單，使用方便、靈活，提高壓印效率，有利于推廣應用。

具體實施方式

實施例一：

一種納米印章的制備方法，包括如下步驟：

（1）在基片上放置一層金屬鉻膜；

（2）在金色鉻膜上旋涂一層光刻膠；

（3）用全息曝光法將圖案掩膜轉移到光刻膠上；

（4）顯影，然后用去鉻液將光刻圖案從光刻膠上轉移到鉻膜上；

（5）用等離子體將多余的光刻膠去除，然后用氬離子束進行刻蝕；

（6）刻蝕完成后用去鉻液將鉻膜去除，即可得到所需的納米印章。

所述步驟（3）中的全息曝光法采用的是He-Cd激光器。

所述步驟（6）中的刻蝕在室溫進行。

以上所述僅是本發明的優選實施方式，應當指出：對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發明的保護范圍。