[發明專利]一種納米印章的制備方法無效
| 申請號： | 201310514080.8 | 申請日： | 2013-10-25 |
| 公開（公告）號： | CN103529645A | 公開（公告）日： | 2014-01-22 |
| 發明（設計）人： | 王晶 | 申請（專利權）人： | 無錫英普林納米科技有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/00 | 分類號： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 成立珍 |
| 地址： | 214192 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 印章 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種納米印章的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
（1）在基片上放置一層金屬鉻膜；
（2）在金色鉻膜上旋涂一層光刻膠；
（3）用全息曝光法將圖案掩膜轉移到光刻膠上；
（4）顯影，然后用去鉻液將光刻圖案從光刻膠上轉移到鉻膜上；
（5）用等離子體將多余的光刻膠去除，然后用氬離子束進行刻蝕；
（6）刻蝕完成后用去鉻液將鉻膜去除，即可得到所需的納米印章。
2.根據權利要求1所述的納米印章的制備方法，其特征在于：所述步驟（3）中的全息曝光法采用的是He-Cd激光器。
3.根據權利要求1所述的納米印章的制備方法，其特征在于：所述步驟（6）中的刻蝕在室溫進行。
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