[發明專利]一種集成電路芯片電極的修復方法

有效

• 申請號: 201310513631.9
• 申請日: 2013-10-26
• 公開（公告）號: CN103617945A
• 公開（公告）日: 2014-03-05
• 發明（設計）人: 叢國芳
• 申請（專利權）人: 溧陽市東大技術轉移中心有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/28
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 黃明哲

技術領域

本發明屬于半導體集成電路芯片制造領域，尤其涉及一種集成電路芯片電極的修復方法。

背景技術

半導體集成電路芯片都采用平面工藝來制作，主要的工藝流程是先制作電路功能層，最后將金屬材料蒸鍍在電路功能層上形成電極；但是在實際的生產過程中，因為制作工藝偏差或者檢測技術偏差，通常都會出現一定的品質異常的情況。比如在蒸鍍金屬后發現金屬電極上有污染或者金屬電極被劃傷等等，此時為保證產品質量，往往需要對集成電路芯片上的金屬電極進行返工處理。

目前，傳統的電極修復工藝為：光刻形成光刻膠保護層-刻蝕缺陷電極-重新光刻構圖→蒸鍍金屬電極。上述工藝流程中，刻蝕缺陷電極時往往需要采用強酸液來腐蝕掉金屬，再重新對準光刻構圖后，通過重新蒸鍍金屬材料來修復電極。這種方式存在兩個缺點：一是返工工序煩多，返工效率低下；二是刻蝕缺陷電極過程中需要采用強酸浸泡，這會產生大量廢液，這種廢液的環保處理成本很高，而且處理過程危險系數也很大。

鑒于此，亟待開發一種工藝簡單、高效、環保的缺陷電極修復方法，以解決現有技術中存在的問題。

發明內容

本發明提供了一種集成電路芯片電極的修復方法，該修復方法具備高效率、高環保的優點。

本發明提出的集成電路芯片電極的修復方法為：去除覆蓋在集成電路芯片電極邊緣的保護層；去除保護層后，采用光刻工藝重新將除了電極以外的區域涂上光刻膠；此后將集成電路芯片置于等離子體干法刻蝕機的刻蝕腔內，采用等離子體干法刻蝕對集成電路芯片表面的金屬電極進行部分刻蝕，此后，將集成電路芯片取出后投入到酸性溶液中進行電極剩余部分的刻蝕，直至將集成電路芯片表面的金屬電極完全刻蝕干凈后，采用去離子水沖洗集成電路芯片表面殘余的酸性溶液后，進行干燥處理。待干燥處理完畢后，將集成電路芯片置入金屬蒸鍍腔中，通過在集成電路芯片表面蒸鍍金屬材料，待在集成電路芯片表面蒸鍍完預定厚度的金屬材料層后，通過去除集成電路芯片表面的光刻膠，從而重新形成完好的金屬電極，完成集成電路芯片電極的修復。

本發明的有益效果為：

1．僅用一次光刻工藝即可完成金屬電極的修復；

2．腐蝕金屬電極所使用的酸腐蝕液用量很小，因此產生的廢液也很少，利于環保。

具體實施方式

通過具體的實施方式對本發明做進一步的詳細說明：

本發明提出的集成電路芯片電極的修復方法，依次包括如下步驟：

（1）去除覆蓋在集成電路芯片電極邊緣的保護層；

（2）去除保護層后，采用光刻工藝重新將除了電極以外的區域涂上光刻膠；

（3）將集成電路芯片置于等離子體干法刻蝕機的刻蝕腔內，采用等離子體干法刻蝕對集成電路芯片表面的金屬電極進行部分刻蝕；

（4）在步驟（3）之后，將集成電路芯片取出后投入到酸性溶液中進行電極剩余部分的刻蝕，直至將集成電路芯片表面的金屬電極完全刻蝕干凈后，采用去離子水沖洗集成電路芯片表面殘余的酸性溶液后，進行干燥處理；

（5）待干燥處理完畢后，將集成電路芯片置入金屬蒸鍍腔中，在集成電路芯片表面蒸鍍預定厚度的金屬材料層

（6）去除集成電路芯片表面的光刻膠，形成完好的金屬電極，完成集成電路芯片電極的修復。

在步驟（1）中，去除保護層的工藝采用濕式化學蝕刻法或RIE離子干蝕刻法。

在步驟（3）中，利用等離子體對金屬電極的物理轟擊和化學反應，將金屬電極的一部分去除，金屬電極的去除量可根據實際需要適當安排，例如刻蝕掉金屬電極厚度的1/2-2/3即可；

在步驟（4）中，所述酸性溶液為鹽酸、氫氟酸或者他們的混合酸；在刻蝕過程中，采用終點檢測方法來判斷金屬電極是否已經刻蝕完畢，為了保證金屬電極被完全刻蝕，還可以在終點檢測響應后進行進一步的過刻蝕。

在步驟（5）中，蒸鍍金屬材料可以采用本領域常規的蒸鍍工藝，蒸鍍金屬材料所獲得的金屬材料層的厚度應當滿足不小于原金屬電極的厚度，但也不能大于原金屬電極厚度的110%。