[發(fā)明專利]一種集成電路芯片電極的修復(fù)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310513631.9
• 申請(qǐng)日: 2013-10-26
• 公開（公告）號(hào): CN103617945A
• 公開（公告）日: 2014-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 叢國(guó)芳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 溧陽(yáng)市東大技術(shù)轉(zhuǎn)移中心有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/28
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責(zé)任公司 32112
• 代理人: 黃明哲

1.一種集成電路芯片電極的修復(fù)方法，依次包括如下步驟：

（1）去除覆蓋在集成電路芯片電極邊緣的保護(hù)層；

（2）去除保護(hù)層后，采用光刻工藝重新將除了電極以外的區(qū)域涂上光刻膠；

（3）將集成電路芯片置于等離子體干法刻蝕機(jī)的刻蝕腔內(nèi)，采用等離子體干法刻蝕對(duì)集成電路芯片表面的金屬電極進(jìn)行部分刻蝕；

（4）在步驟（3）之后，將集成電路芯片取出后投入到酸性溶液中進(jìn)行電極剩余部分的刻蝕，直至將集成電路芯片表面的金屬電極完全刻蝕干凈后，采用去離子水沖洗集成電路芯片表面殘余的酸性溶液后，進(jìn)行干燥處理；

（5）待干燥處理完畢后，將集成電路芯片置入金屬蒸鍍腔中，在集成電路芯片表面蒸鍍預(yù)定厚度的金屬材料層

（6）去除集成電路芯片表面的光刻膠，形成完好的金屬電極，完成集成電路芯片電極的修復(fù)。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：

在步驟（1）中，去除保護(hù)層的工藝采用濕式化學(xué)蝕刻法或RIE離子干蝕刻法；

在步驟（3）中，利用等離子體對(duì)金屬電極的物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)，將金屬電極的一部分去除，金屬電極的去除量可根據(jù)實(shí)際需要適當(dāng)安排，例如刻蝕掉金屬電極厚度的1/2-2/3即可；

在步驟（4）中，所述酸性溶液為鹽酸、氫氟酸或者他們的混合酸；在刻蝕過程中，采用終點(diǎn)檢測(cè)方法來判斷金屬電極是否已經(jīng)刻蝕完畢，為了保證金屬電極被完全刻蝕，還可以在終點(diǎn)檢測(cè)響應(yīng)后進(jìn)行進(jìn)一步的過刻蝕；

在步驟（5）中，蒸鍍金屬材料可以采用本領(lǐng)域常規(guī)的蒸鍍工藝，蒸鍍金屬材料所獲得的金屬材料層的厚度應(yīng)當(dāng)滿足不小于原金屬電極的厚度，但也不能大于原金屬電極厚度的110%。