[發明專利]濺射鍍膜裝置和真空鍍膜設備

有效

• 申請號: 201310512809.8
• 申請日: 2013-10-25
• 公開（公告）號: CN103789737A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 托斯滕·桑德爾;米夏埃爾·亨切爾
• 申請（專利權）人: 馮·阿德納設備有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/56
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 楊靖;車文

1.一種濺射鍍膜裝置，其包括帶有固定法蘭（11）和至少一個承載型材（12）的支承裝置（1），所述承載型材具有自由端部和與所述固定法蘭（11）連接的聯接端部，所述濺射鍍膜裝置還包括至少一個在所述支承裝置（1）上平行于承載型材（12）安裝的濺射磁控管（2），所述濺射磁控管帶有自由端部（21）和聯接端部（22），其中，該聯接端部（22）與供應裝置（23）連接，所述供應裝置布置在所述固定法蘭（11）的與所述濺射磁控管（2）對置的一側上，其特征在于，所述承載型材（12）通入所述固定法蘭（11）的第一抽吸口（15）并且在所述第一抽吸口（15）上在所述固定法蘭（11）的與所述承載型材（12）對置的一側上布置有真空泵（4）。

2.按權利要求1所述的濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述承載型材（12）具有至少一個壁缺口（16）。

3.按權利要求2所述的濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述承載型材（12）具有均勻間隔開的壁缺口（16）的至少一個直線形布置。

4.按權利要求1至3任一項所述的濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述承載型材（12）在其自由端部上具有與所述濺射磁控管（2）的自由端部（21）連接的支撐裝置（14）。

5.按權利要求1至4任一項所述的濺射鍍膜裝置，其特征在于，至少一個陽極（17）平行于所述濺射磁控管（2）地布置在所述支承裝置（1）上。

6.按權利要求1至5任一項所述的濺射鍍膜裝置，其特征在于，至少兩個濺射磁控管（2）彼此平行地并平行于承載型材（12）地布置在所述支承裝置（1）上。

7.按權利要求6所述的濺射鍍膜裝置，其特征在于，在兩個相鄰的、布置在一個平面內的濺射磁控管（2）之間布置有垂直于這個平面取向的擋板（19）。

8.按權利要求7所述的濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述擋板（19）與至少一個陽極（17）導電連接。

9.一種真空鍍膜設備，其包括至少一個由腔壁（5）限定邊界的、能夠抽真空的、帶有基材處理裝置的過程腔，其特征在于，所述基材處理裝置包括至少一個按權利要求1至5任一項所述的濺射鍍膜裝置，所述濺射鍍膜裝置的固定法蘭（11）固定在腔壁（5）的固定口上。

10.按權利要求9所述的真空鍍膜設備，其特征在于，在與所述固定口對置的腔壁（5）上布置有第二抽吸口（31），真空泵（4）在所述過程腔外布置在所述第二抽吸口（31）上且承載型材（12）的自由端部對準所述第二抽吸口（31）。

11.按權利要求10所述的真空鍍膜設備，其特征在于，所述承載型材（12）的自由端部能夠在所述過程腔內與所述第二抽吸口（31）連接。