[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201310511900.8
• 申請日: 2013-09-10
• 公開（公告）號: CN103715151A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 本間恭子;下川一生
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 韓宏;陳松濤

相關申請的交叉參考

本申請基于并要求于2012年10月1日提交的日本專利申請No.2012-219729的優先權的權益，其全部內容通過引用并入本文。

技術領域

本文描述的實施例涉及一種半導體器件和該半導體器件的制造方法。

背景技術

近來，諸如手機和數字媒體播放器的產品都在被小型化。隨著這些產品的小型化，對安裝在這些產品中的小型化半導體器件的需求也正在提高。近來，已開發了包括一種被稱作芯片級封裝(CSP)的小型半導體器件(其包含由樹脂密封的半導體元件)的緊湊型半導體器件。

然而，由于受到用于在安裝有半導體器件的基板上定位電極焊盤和布線的精細布線技術的限制，而導致難以在產品上提供緊湊型半導體器件。為了克服這個問題，需要具有扇出結構的半導體器件，其中半導體元件的電極被重新布線以增加電極距。

根據本領域中具有扇出結構的半導體器件的制造方法，半導體元件開始安裝在設置有固定部件的支撐部件上，并且該半導體元件由樹脂密封。在支撐部件被分離之后，在半導體元件和密封樹脂上形成絕緣層。隨后，形成布線層和阻焊層，最后，將半導體元件彼此分割成分離件。

發明內容

在形成布線層的工藝或熱處理阻焊層的工藝期間，由于彎曲或熱擴散系數差，而導致在半導體元件以及密封樹脂這兩個組件和絕緣層之間產生應力。根據相關領域的半導體器件，半導體元件和密封樹脂的表面基本上是均質的，并因此在半導體元件以及密封樹脂這兩個組件和絕緣層之間的粘附力變得不足，從而可能會導致絕緣層的分離。在這種情況下，半導體器件無法提供足夠的可靠性。

因此，由實施例實現的目標是提供具有較高可靠性的半導體器件。

為了實現上述目標，根據一實施例的半導體器件包括：半導體元件，其具有在主表面上的多個電極；密封樹脂，其覆蓋所述半導體元件的側表面的至少一部分；第一絕緣層，其形成在所述半導體元件的主表面、所述半導體元件的側表面的一部分、以及密封樹脂上，并具有以允許通過第一開口暴露出在所述主表面上的多個電極的方式而設置的所述第一開口，并具有設置在所述側表面的一部分上的倒角(fillet)；布線層，其以電連接到所述多個電極的方式形成在所述第一開口中，并且還形成在第一絕緣層上；以及第二絕緣層，其具有第二開口，并形成在第一絕緣層和布線層上。

根據一實施例的半導體器件的制造方法包括：將半導體元件定位在第一絕緣層上，由形成在支撐部件上的固定部件將該第一絕緣層固定到支撐部件上，將該第一絕緣層圖案化，以具有第一開口并在所述半導體元件的側表面上產生倒角；將密封樹脂至少形成在所述第一絕緣層和所述半導體元件上；將所述固定部件與所述支撐部件分離，以暴露出所述第一開口；在所述第一開口中和所述第一絕緣層上形成布線層；將具有第二開口的第二絕緣層至少形成在所述第一絕緣層和所述布線層上；以及將所述半導體元件彼此分割，以產生分離的半導體元件。

附圖說明

圖1是根據實施例的半導體器件的截面圖。

圖2A至2E是示意性示出根據該實施例的半導體器件的制造方法的步驟的截面圖。

圖3A至3C是示意性示出根據該實施例的半導體器件的制造方法的附加步驟的截面圖。

圖4A和4B是示意性示出根據該實施例的半導體器件的制造方法的附加步驟的截面圖。

圖5是根據該實施例的半導體器件的第一修改示例的截面圖。

圖6是根據該實施例的半導體器件的第二修改示例的截面圖。

圖7是根據該實施例的半導體器件的第三修改示例的截面圖。

具體實施方式

下面參照附圖來描述實施例。相同的元件在相應附圖中采用相同的附圖標記，并且相同的細節描述將不再重復。

圖1是根據該實施例的半導體器件的截面圖。在該實施例中的半導體器件1包括半導體元件2、絕緣層3、密封樹脂4、布線層5、阻焊劑6和連接部件7。

該半導體元件2具有在主表面2a上的多個電極2b、和以圍繞該多個電極2b的方式設置在主表面2a上的絕緣部件2c。當多個電極2b被通電時，該絕緣部件2c防止連續穿過相鄰的電極2b。在該實施例中以圍繞多個電極2b的這種方式而設置的絕緣部件2c可以覆蓋多個電極2b的一部分并圍繞電極2b，同時允許暴露多個電極2b。

該半導體元件2是四角柱形，并且由邏輯型LSI元件、諸如二極管的分離式半導體、存儲元件或其它元件構成。在該實施例中為四角柱形的半導體元件可以具有其它形狀，例如多邊柱形和圓柱形。