[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310511900.8
• 申請(qǐng)日: 2013-09-10
• 公開（公告）號(hào): CN103715151A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 本間恭子;下川一生
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 韓宏;陳松濤

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體元件，其包括在主表面上的多個(gè)電極；

密封樹脂，其覆蓋所述半導(dǎo)體元件的側(cè)表面的至少一部分；

第一絕緣層，其形成在所述半導(dǎo)體元件的所述主表面、所述半導(dǎo)體元件的所述側(cè)表面的一部分、以及所述密封樹脂上，并以如下方式設(shè)置有第一開口，即允許通過所述第一開口暴露出在所述主表面上的所述多個(gè)電極，并且所述第一絕緣層包括設(shè)置在所述側(cè)表面的一部分上的倒角；

布線層，其以電連接到所述多個(gè)電極的方式形成在所述第一開口中，并且還形成在所述第一絕緣層上；以及

第二絕緣層，其設(shè)置有第二開口，并至少形成在所述第一絕緣層和所述布線層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第二絕緣層覆蓋所述第一絕緣層并接觸所述密封樹脂。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其中所述布線層覆蓋所述第一絕緣層的一部分并接觸所述密封樹脂。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述布線層覆蓋所述第一絕緣層的一部分并接觸所述密封樹脂。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述密封樹脂還覆蓋所述半導(dǎo)體元件的與所述主表面相對(duì)的表面。

6.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

將半導(dǎo)體元件定位在形成在支撐部件上的固定部件上，將第一絕緣層圖案化，以具有第一開口并在所述半導(dǎo)體元件的側(cè)表面上產(chǎn)生倒角；

將密封樹脂至少形成在所述第一絕緣層和所述半導(dǎo)體元件的所述側(cè)表面上；

剝離所述固定部件和所述支撐部件以暴露出所述第一開口；

在所述第一開口中和所述第一絕緣層上形成布線層；

將具有第二開口的第二絕緣層至少形成在所述第一絕緣層和所述布線層上；

以及

將所述半導(dǎo)體元件分割成彼此分離。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中在所述半導(dǎo)體元件于所述第一絕緣層上的所述定位期間，所述第一絕緣層是流體。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中在所述定位期間，所述第一絕緣層的圖案用于將所述半導(dǎo)體元件在所述第一絕緣層上對(duì)準(zhǔn)。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中在所述定位期間，所述第一絕緣層的圖案用于將所述半導(dǎo)體元件在所述第一絕緣層上對(duì)準(zhǔn)。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中形成所述第二絕緣層以覆蓋所述第一絕緣層。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中形成所述布線層以覆蓋所述第一絕緣層的一部分，并且所述布線層還形成在所述密封樹脂上。

12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括：

研磨以從所述半導(dǎo)體元件的頂表面去除所述密封樹脂，并暴露出所述半導(dǎo)體元件的頂表面。