[發明專利]柔性基板制備方法有效
| 申請號: | 201310511430.5 | 申請日: | 2013-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN103531442A | 公開(公告)日: | 2014-01-22 |
| 發明(設計)人: | 謝明哲;謝春燕;劉陸;毛雪 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 制備 方法 | ||
1.一種柔性基板制備方法,其特征在于,包括:
在剛性基底上形成犧牲層;
在形成有所述犧牲層的所述剛性基底上制備柔性基板;所述柔性基板與所述犧牲層之間的接著力小于所述柔性基板與所述剛性基底之間的接著力;
在對應所述犧牲層所在區域內的所述柔性基板上形成切割線,所述切割線形成一閉合切割區域且所述切割線切割深至所述犧牲層;
在閉合切割區域外側的所述柔性基板上形成孔洞,向所述孔洞內注入氣體;
利用封裝材料將所述孔洞以及所述切割線密封,將形成有所述犧牲層以及所述柔性基板的所述剛性基底置于低壓環境;利用低壓環境與所述孔洞內注入氣體之間產生的氣壓差,將閉合切割區域內的所述柔性基板與所述剛性基底剝離開。
2.根據權利要求1所述的柔性基板制備方法,其特征在于,所述犧牲層的面積小于所述剛性基底的面積。
3.根據權利要求1所述的柔性基板制備方法,其特征在于,所述柔性基板面積大于所述犧牲層的面積且完全覆蓋所述犧牲層。
4.根據權利要求1所述的柔性基板制備方法,其特征在于,所述在形成有犧牲層的剛性基底上制備柔性基板的步驟,具體包括:在形成有所述犧牲層的所述剛性基底上形成柔性襯底,并在所述柔性襯底上制備顯示元件層。
5.根據權利要求1所述的柔性基板制備方法,其特征在于,所述切割線和所述孔洞均形成在所述柔性基板上對應所述犧牲層邊緣的區域。
6.根據權利要求1所述的柔性基板制備方法,其特征在于,所述低壓環境的真空度不大于0.3KPa。
7.根據權利要求1所述的柔性基板制備方法,其特征在于,在將閉合切割區域內的柔性基板與剛性基底剝離開之后,所述方法還包括:
去除剝離完成后所述柔性基板上殘留的所述封裝材料。
8.根據權利要求1所述的柔性基板制備方法,其特征在于,所述犧牲層的厚度不大于1μm。
9.根據權利要求1所述的柔性基板制備方法,其特征在于,所述孔洞與閉合切割區域之間的最長距離不大于5cm;所述孔洞的開口呈長方形、正方形、圓形、三角形、十字形中任意一種或幾種。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





