[發明專利]有機發光顯示裝置和用于制造有機發光顯示裝置的光掩模有效
| 申請號: | 201310511378.3 | 申請日: | 2013-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN104143560B | 公開(公告)日: | 2018-11-16 |
| 發明(設計)人: | 金泰俊 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G03F1/00 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 郭艷芳;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示裝置 用于 制造 光掩模 | ||
本發明公開一種有機發光顯示裝置和用于制造該有機發光顯示裝置的光掩模。該有機發光顯示裝置包括:位于基板上的開關薄膜晶體管(TFT),其中所述開關TFT電聯接至掃描線和數據線;驅動TFT,電聯接至所述開關TFT,所述驅動TFT包括驅動半導體層;和有機發光二極管(OLED),電聯接至所述驅動TFT,其中,所述驅動半導體層包括:第一區域,從第一方向向與所述第一方向相交的第二方向彎曲;第二區域,從所述第二方向向所述第一方向彎曲;以及第三區域,將所述第一區域聯接至所述第二區域,所述第三區域與所述第一區域和所述第二區域中的每一個呈鈍角。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2013年5月10日在韓國知識產權局提交的第10-2013-0053393號韓國專利申請的優先權和權益,其全部內容通過引用并入本文。
技術領域
本發明的各實施例涉及有機發光顯示裝置和用于制造有機發光顯示裝置的光掩模。
背景技術
有機發光顯示裝置包括兩個電極和位于兩個電極之間的有機發射層。來自一個電極的電子和來自另一個電極的空穴在有機發射層中結合,以形成激子,當激子下降至更低的能級時,有機發射層發光。
這種有機發光顯示裝置包括多個像素。每個像素包括有機發光二極管(OLED)、多個薄膜晶體管(TFT)和電容器,有機發光二極管是自發光器件,多個薄膜晶體管包括開關TFT和驅動TFT,電容器用于驅動OLED。
對于驅動TFT的柵電壓,期望具有寬的驅動范圍,以允許對驅動TFT的柵電壓Vgs的幅度進行充分的調節,從而能夠得到所顯示彩色強度的充足分級。為此,期望增大(例如,最大化)驅動半導體層的溝道長度的設計。當驅動TFT被設計為使驅動半導體層在有限空間內具有長的溝道長度時,對于驅動半導體層而言,難以具有恒定的溝道寬度。當驅動半導體層的溝道寬度不恒定時,會產生這樣的限制問題,即,有效溝道長度會由于沿最短距離移動的載流子而短于預計的長度(如,期望長度)。
發明內容
根據本發明的實施例的各方面涉及有機發光顯示裝置和用于制造該有機發光顯示裝置的光掩模,其中該有機發光顯示裝置包括具有基本恒定的(例如,恒定的)溝道寬度的驅動半導體層。
根據本發明的實施例的一個方面,提供一種有機發光顯示裝置,包括:位于基板上的開關薄膜晶體管(TFT),其中所述開關TFT電聯接至掃描線和數據線;驅動TFT,電聯接至所述開關TFT,所述驅動TFT包括驅動半導體層;和有機發光二極管(OLED),電聯接至所述驅動TFT,其中,所述驅動半導體層包括:第一區域,從第一方向向與所述第一方向相交的第二方向彎曲;第二區域,從所述第二方向向所述第一方向彎曲;以及第三區域,將所述第一區域聯接至所述第二區域,所述第三區域與所述第一區域和所述第二區域中的每一個呈鈍角。
所述第一區域和所述第二區域中的每一個可包括:第四區域,沿所述第一方向延伸;第五區域,沿所述第二方向延伸;以及第六區域,將所述第四區域聯接至所述第五區域,所述第六區域具有曲率。
所述第六區域可包括外角和面對所述外角的內角,并且其中所述外角的曲率半徑大于所述內角的曲率半徑。
所述驅動半導體層從所述第一區域至所述第三區域可具有恒定的寬度。
所述第一區域的長度或所述第二區域的長度可長于所述第三區域的長度。
所述第三區域可包括線形部分。
所述第三區域可包括多個彎曲部分。
該有機發光顯示裝置可進一步包括:第一介電層,位于所述基板上,以覆蓋所述驅動半導體層;以及電容器,位于所述第一介電層上,其中所述電容器豎直地面對所述驅動半導體層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





