[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示裝置和用于制造有機發(fā)光顯示裝置的光掩模有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310511378.3 | 申請日: | 2013-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN104143560B | 公開(公告)日: | 2018-11-16 |
| 發(fā)明(設計)人: | 金泰俊 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G03F1/00 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產(chǎn)權代理有限公司 11018 | 代理人: | 郭艷芳;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發(fā)光 顯示裝置 用于 制造 光掩模 | ||
1.一種有機發(fā)光顯示裝置,包括:
位于基板上的開關薄膜晶體管,其中所述開關薄膜晶體管電聯(lián)接至掃描線和數(shù)據(jù)線;
驅(qū)動薄膜晶體管,電聯(lián)接至所述開關薄膜晶體管,所述驅(qū)動薄膜晶體管包括驅(qū)動半導體層;和
有機發(fā)光二極管,電聯(lián)接至所述驅(qū)動薄膜晶體管,
其中,所述驅(qū)動半導體層包括驅(qū)動溝道區(qū)域以及驅(qū)動源極區(qū)域和驅(qū)動漏極區(qū)域,所述驅(qū)動溝道區(qū)域存在于所述驅(qū)動源極區(qū)域與所述驅(qū)動漏極區(qū)域之間,并且
其中所述驅(qū)動溝道區(qū)域包括:
第一區(qū)域,從第一方向向與所述第一方向相交的第二方向彎曲;
第二區(qū)域,從所述第二方向向所述第一方向彎曲;以及
第三區(qū)域,將所述第一區(qū)域聯(lián)接至所述第二區(qū)域,所述第三區(qū)域與所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中的每一個呈鈍角。
2.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中的每一個包括:
第四區(qū)域,沿所述第一方向延伸;
第五區(qū)域,沿所述第二方向延伸;以及
第六區(qū)域,將所述第四區(qū)域聯(lián)接至所述第五區(qū)域,所述第六區(qū)域具有曲率。
3.如權利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述第六區(qū)域包括外角和面對所述外角的內(nèi)角,并且其中所述外角的曲率半徑大于所述內(nèi)角的曲率半徑。
4.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述驅(qū)動半導體層從所述第一區(qū)域至所述第三區(qū)域具有恒定的寬度。
5.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述第一區(qū)域的長度或所述第二區(qū)域的長度長于所述第三區(qū)域的長度。
6.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述第三區(qū)域包括線形部分。
7.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述第三區(qū)域包括多個彎曲部分。
8.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,進一步包括:
第一介電層,位于所述基板上,以覆蓋所述驅(qū)動半導體層;以及
電容器,位于所述第一介電層上,其中所述電容器豎直地面對所述驅(qū)動半導體層。
9.如權利要求8所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述電容器進一步包括:
第一電容器電極,位于所述第一介電層上,其中所述第一電容器電極豎直地面對所述驅(qū)動半導體層,并作為驅(qū)動柵電極;
第二介電層,覆蓋所述第一電容器電極;以及
第二電容器電極,位于所述第二介電層上,其中所述第二電容器電極豎直地面對所述第一電容器電極。
10.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,進一步包括補償薄膜晶體管,所述補償薄膜晶體管被配置為補償所述驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓,其中所述補償薄膜晶體管電聯(lián)接至所述驅(qū)動薄膜晶體管。
11.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,進一步包括發(fā)光控制薄膜晶體管,所述發(fā)光控制薄膜晶體管被配置為通過發(fā)光控制線供給的發(fā)光控制信號導通,其中所述發(fā)光控制薄膜晶體管被配置為將驅(qū)動電壓從所述驅(qū)動薄膜晶體管傳送至所述有機發(fā)光二極管,并且所述發(fā)光控制薄膜晶體管位于所述驅(qū)動薄膜晶體管和所述有機發(fā)光二極管之間。
12.如權利要求11所述的有機發(fā)光顯示裝置,進一步包括操作控制薄膜晶體管,所述操作控制薄膜晶體管被配置為通過所述發(fā)光控制線傳送的所述發(fā)光控制信號導通,其中所述操作控制薄膜晶體管被配置為向所述驅(qū)動薄膜晶體管傳送驅(qū)動電壓,并且所述操作控制薄膜晶體管位于驅(qū)動電壓線和所述驅(qū)動薄膜晶體管之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





