[發明專利]一種料罐

無效

• 申請號: 201310509261.1
• 申請日: 2013-10-23
• 公開（公告）號: CN103846816A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 郭金娥;徐信富;徐力;陳興邦
• 申請（專利權）人: 洛陽市鼎晶電子材料有限公司
• 主分類號: B24C9/00
• 分類號: B24C9/00
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

技術領域

本發明涉及IC級硅單晶拋光片技術領域,特別是涉及一種用于硅片背面干法噴砂制造吸雜源以消除硅拋光表面氧化霧的料罐。

背景技術

IC級硅單晶拋光片是制造大規模和超大規模集成電路的核心材料，主要用于高速計算機、航空航天等高科技領域。硅單晶拋光片的微缺陷“氧化霧”一直困擾著高可靠性器件用硅單晶拋光片的質量。長期以來，人們采用多種方法以消除硅拋光片表面的氧化霧。所采用的方法主要是通過吸雜的方式，有內吸雜和外吸雜兩種。內吸雜主要是利用硅片中的氧沉淀產生吸雜區消除硅拋光表面的氧化霧，因其設備昂貴，工藝復雜，要求硅片內氧沉淀分布均勻，不易控制，重復性差，因此在國內外應用較少。外吸雜主要是利用外部手段在硅片背面形成損傷或應力，具體方式有在硅片背面用金鋼砂帶損傷、激光損傷或LPCVD生長多晶硅層等，或者采用輻照、加熱預處理、硅片背面軟損傷等方法對硅片的氧化霧進行消除。

對硅片的背面采用干法噴砂制造吸雜源消除硅拋光表面的氧化霧是近年來新興的一種可有效消除硅拋光片表面的氧化霧，同時又工藝簡單合理，投資小，可操作性強，易于實施的外吸雜方法。其是根據背損吸雜原理，在硅片背面干法噴砂，產生晶格損傷或畸變，制造吸雜源，通過對噴砂粒度、噴砂壓力、作業片距、時間過程的控制和調制，在硅片背面制造均勻的層錯密度，即在硅片背面產生6-38×104個／cm²的損傷層錯，誘生堆雜層錯，使硅片具有非本征的吸雜能力。在高溫下，硅片的雜質會移位，并且轉移到硅片里面和背面的非要害部位，在拋光片表面的制作集成電路區域，形成厚度幾個um的潔凈區，從而獲得無“氧化霧”的高品質硅拋光片，確保IC產品電路特性不受影響。

請參閱圖1所示，是現有技術的料罐的示意圖，以現有技術中的料罐1作為硅片背面干法噴砂制造吸雜源以消除硅拋光表面氧化霧的金剛砂的儲存容器，由于金剛砂在罐中通常堆積致密，在以氣壓將金剛砂壓送至金剛砂噴嘴，從而向硅片背面噴灑金剛砂時，通常會造成金剛砂輸送的流速不均勻，這將會造成金剛砂噴嘴噴灑的金剛砂前后不一致，這對于硅片背面干法噴砂制造吸雜源以消除硅拋光表面氧化霧所不希望得到的結果。

發明內容

本發明的目的在于，克服現有技術的料罐存在的缺陷，而提供一種新型結構的料罐，所要解決的技術問題是使其通過對料罐增加震動器，可以使儲存于料罐中的金剛砂一直保持疏松狀態，從而使由管道至金剛砂噴嘴的金剛砂運輸通暢，金剛砂輸送的流速均勻，非常適于實用。

本發明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據本發明提出的一種料罐，用于硅片背面干法噴砂制造吸雜源以消除硅拋光表面氧化霧，其包括：儲物罐及震動器，所述震動器設置于所述儲物罐使所述儲物罐內儲存的物品處于振動狀態。

本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。

前述的料罐，其中所述震動器為電動振動器。

本發明與現有技術相比具有明顯的優點和有益效果。借由上述技術方案，本發明一種料罐至少具有下列優點及有益效果：本發明通過對料罐增加震動器，可以使儲存于料罐中的金剛砂一直保持疏松狀態，從而使由管道至金剛砂噴嘴的金剛砂運輸通暢，金剛砂輸送的流速均勻。

上述說明僅是本發明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發明的技術手段，而可依照說明書的內容予以實施，并且為了讓本發明的上述和其他目的、特征和優點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖,詳細說明如下。

附圖說明

圖1是現有技術的料罐的示意圖。

圖2是本發明的料罐的示意圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本發明為達成預定發明目的所采取的技術手段及功效,以下結合附圖及較佳實施例，對依據本發明提出的一種料罐其具體實施方式、結構、特征及其功效，詳細說明如后。

有關本發明的前述及其他技術內容、特點及功效，在以下配合參考圖式的較佳實施例的詳細說明中將可清楚呈現。通過具體實施方式的說明,應當可對本發明為達成預定目的所采取的技術手段及功效獲得一更加深入且具體的了解，然而所附圖式僅是提供參考與說明之用，并非用來對本發明加以限制。

請參閱圖2所示，是本發明的料罐的示意圖。本發明的料罐用于硅片背面干法噴砂制造吸雜源以消除硅拋光表面氧化霧中儲存金剛砂，其主要由儲物罐2和震動器3組成。其中震動器3設置于儲物罐2使儲物罐2內儲存的物品處于振動狀態。較佳的，本發明的震動器3可以為電動振動器。