[發明專利]一種有機發光二極管的陽電極有效
| 申請號: | 201310500097.8 | 申請日: | 2013-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN103594655A | 公開(公告)日: | 2014-02-19 |
| 發明(設計)人: | 叢國芳 | 申請(專利權)人: | 溧陽市東大技術轉移中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 南京天翼專利代理有限責任公司 32112 | 代理人: | 黃明哲 |
| 地址: | 213300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 發光二極管 陽電 | ||
技術領域
本發明屬于半導體技術領域,特別是涉及一種發光均勻的有機發光二極管(OLED)的陽電極。
背景技術
OLED顯示技術具有自發光的特性,采用非常薄的有機材料涂層和玻璃基板,當有電流通過時,這些有機材料就會發光,而且OLED顯示屏幕可視角度大,并且能夠顯著節省電能,從2003年開始這種顯示設備在MP3播放器上得到了廣泛應用,OLED屏幕卻具備了許多LCD不可比擬的優勢,如制造方法簡單、功耗低、顏色豐富、適用于柔性襯底與大面積顯示等,備受業界關注,因此它也一直被業內人士所看好。
由于氧化銦錫(Indium?TinOxide,ITO)具有高透射率、低電阻率及高功函數等優點,因此業內通常采用ITO來制作OLED的陽電極,因為陽電極的空穴注入該有機發光層需克服該陽電極與該有機發光層間的能障,通常該陽電極的功函數(WorkFunction)越高,其空穴注入該有機發光層的能障越低,則該有機發光二極管開始發光的啟動電壓越低。
目前,為了提高該ITO陽電極的功函數,業界通常對ITO陽電極的表面進行氧等離子或紫外線/臭氧處理,以提高氧化銦錫層的含氧量,進而提高該陽電極12的功函數(大約5.0ev)。或者,如中國專利文獻CN101295771A公開的一種有機發光二極管陽電極的制備方法,其在該陽電極沉積過程中通入氧氣或水蒸氣或二者的混合氣,使該陽電極內部與表面的含氧量皆增加,進而使提高陽電極的功函數(大約5.2ev)。
然而,上述兩種方法雖然都能在一定程度上提高陽電極的功函數,但是仍然存在著問題。氧等離子體處理能清潔ITO表面有機雜質,使ITO表面終端氧成份增加,進而表面極化增強,從而提高ITO表面功函數,但是氧等離子體對ITO表面的轟擊會造成表面光滑度下降,這一定程度上抵消了功函數的增加效應。紫外光/臭氧處理實際上并不能增加ITO表面的功函數,其實際上僅能清潔ITO表面的有機雜質,去除了有機雜質對功函數的提高作用非常有限。而在陽電極沉積過程中通入氧氣或水蒸氣的混合氣,其工藝周期較長,不利于提高生產效率。
發明內容
本發明針對上述問題,為了解決有機發光二極管陽電極功函數較低而導致發光不均勻的缺點,提供一種發光均勻的有機發光二極管(OLED)的陽電極。所述陽電極為ITO陽電極,其由第一ITO層以及位于第一ITO層上的第二ITO層共同組成。
其中,第一ITO層的厚度為ITO陽電極厚度的1/3-1/2,第二ITO層的厚度為ITO陽電極厚度的1/2-2/3。
其中,第一ITO層在水蒸氣氛圍中沉積ITO材料而形成,并且其表面進行了第一次處理;
其中,第二ITO層在水蒸氣氛圍中沉積ITO材料而形成,并且其表面進行了第二次處理;
其中第一ITO層經由:在沉積腔內通入水蒸氣,在水蒸氣的氛圍下沉積ITO材料至發光二極管的功能層上而形成;第一次處理是在等離子體腔中通過氧氣,使得氧氣等離子體化后對第一ITO層表面進行處理;第二ITO層經由:在沉積腔內通入水蒸氣,在水蒸氣的氛圍下沉積ITO材料至第一ITO層上而形成;第二次處理是將第二ITO層以雙氧水浸沒,對第二ITO層表面進行第一次紫外光照射后干燥,然后在臭氧的氛圍中對該第二ITO層表面進行第二次紫外光照射。
附圖說明
圖1是本發明實施例1制備方法的工藝流程圖。
圖2是本發明實施例1的陽電極結構示意圖。
圖3是本發明實施例2制備方法的工藝流程圖。
圖4是本發明實施例2的陽電極結構示意圖。
具體實施方式
實施例1
下面具體介紹本發明提出的發光均勻的有機發光二極管(OLED)的陽電極,參見圖1,所述陽電極為ITO陽電極,其由第一ITO層1以及位于第一ITO層1上的第二ITO層2共同組成。
其中,第一ITO層1的厚度為ITO陽電極厚度的1/3-1/2,優選為1/3,第二ITO層2的厚度為ITO陽電極厚度的1/2-2/3,優選為2/3。
其中第一ITO層1經由:在沉積腔內通入水蒸氣,在水蒸氣的氛圍下沉積ITO材料至發光二極管的功能層上(圖1中未示出)而形成;其中發光二極管的功能層是指需要在其上形成ITO陽電極的半導體層,例如p型半導體層,這其中,由于在水蒸氣的氛圍下進行第一ITO層1的沉積,所以在第一ITO層1的表面和內部都能形成富氧的ITO層,因此其功函數得以提高;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





