[發(fā)明專(zhuān)利]一種有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)電極有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310500097.8 | 申請(qǐng)日: | 2013-10-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103594655A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-02-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 叢國(guó)芳 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 溧陽(yáng)市東大技術(shù)轉(zhuǎn)移中心有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L51/52 | 分類(lèi)號(hào): | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 南京天翼專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 32112 | 代理人: | 黃明哲 |
| 地址: | 213300 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 有機(jī) 發(fā)光二極管 陽(yáng)電 | ||
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的陽(yáng)電極,其特征在于:所述陽(yáng)電極為ITO陽(yáng)電極,其由第一ITO層以及位于第一ITO層上的第二ITO層共同組成。
2.如權(quán)利要求1所述的陽(yáng)電極,其特征在于:
其中,第一ITO層的厚度為ITO陽(yáng)電極厚度的1/3-1/2,優(yōu)選為1/3;第二ITO層的厚度為ITO陽(yáng)電極厚度的1/2-2/3,優(yōu)選為2/3。
3.如權(quán)利要求2所述的陽(yáng)電極,其特征在于:
其中,第一ITO層在水蒸氣氛圍中沉積ITO材料而形成,并且其表面進(jìn)行了第一次處理;第二ITO層在水蒸氣氛圍中沉積ITO材料而形成,并且其表面進(jìn)行了第二次處理;其中第一ITO層經(jīng)由:在沉積腔內(nèi)通入水蒸氣,在水蒸氣的氛圍下沉積ITO材料至發(fā)光二極管的功能層上而形成;第一次處理是在等離子體腔中通過(guò)氧氣,使得氧氣等離子體化后對(duì)第一ITO層表面進(jìn)行處理;第二ITO層經(jīng)由:在沉積腔內(nèi)通入水蒸氣,在水蒸氣的氛圍下沉積ITO材料至第一ITO層上而形成;第二次處理是將第二ITO層以雙氧水浸沒(méi),對(duì)第二ITO層表面進(jìn)行第一次紫外光照射后干燥,然后在臭氧的氛圍中對(duì)該第二ITO層表面進(jìn)行第二次紫外光照射。
4.如權(quán)利要求3所述的陽(yáng)電極,其特征在于:
所述陽(yáng)電極的功函數(shù)為5.6ev。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專(zhuān)門(mén)適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專(zhuān)門(mén)適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光材料及有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)半導(dǎo)體組合物以及有機(jī)薄膜和具有該有機(jī)薄膜的有機(jī)薄膜元件
- 有機(jī)材料和包括該有機(jī)材料的有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光元件、有機(jī)發(fā)光裝置、有機(jī)顯示面板、有機(jī)顯示裝置以及有機(jī)發(fā)光元件的制造方法
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