[發(fā)明專利]帶隔片的切割/芯片接合薄膜有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310499530.0 | 申請日: | 2013-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN103794530B | 公開(公告)日: | 2018-12-14 |
| 發(fā)明(設計)人: | 菅生悠樹;村田修平;大西謙司;木村雄大;柳雄一朗;井上剛一 | 申請(專利權)人: | 日東電工株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 中原信達知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 王海川;穆德駿 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 帶隔片 切割 芯片 接合 薄膜 | ||
本發(fā)明涉及帶隔片的切割/芯片接合薄膜。本發(fā)明提供容易從隔片上剝離切割/芯片接合薄膜的帶隔片的切割/芯片接合薄膜。一種帶隔片的切割/芯片接合薄膜,其通過將隔片、在俯視時的外周部具有向外側凸出的伸出片的芯片接合薄膜以及切割薄膜以該順序層疊而得到。
技術領域
本發(fā)明涉及帶隔片的切割/芯片接合薄膜。
背景技術
以往,在半導體裝置的制造工序中,使用在切割薄膜上層疊有熱固型芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜(例如,參考專利文獻1)。在使用該切割/芯片接合薄膜的半導體裝置的制造工序中,首先將半導體晶片貼合到切割/芯片接合薄膜上將其固定,并在該狀態(tài)下進行切割。由此,半導體晶片被小片化為規(guī)定的尺寸,成為半導體芯片。然后,為了將固定在切割/芯片接合薄膜上的半導體芯片從切割薄膜上剝離,進行半導體芯片的拾取。然后,將與芯片接合薄膜一起被拾取的半導體芯片通過芯片接合薄膜固定到襯底等被粘物上。
對于上述的切割/芯片接合薄膜而言,根據(jù)半導體晶片的尺寸而各自沖裁為圓形等的切割薄膜和芯片接合薄膜層疊而成。切割/芯片接合薄膜以芯片接合薄膜為貼合側以規(guī)定的間隔配置到長尺寸的隔片上。與半導體晶片貼合時,使用晶片安裝裝置等將切割/芯片接合薄膜從隔片上剝離,然后粘貼到半導體晶片上。
現(xiàn)有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2008-218571號公報
發(fā)明內(nèi)容
隔片一般為了提高切割/芯片接合薄膜的剝離性而利用脫模劑等進行了脫模處理。但是,從隔片上剝離切割/芯片接合薄膜時,有時隔片與芯片接合薄膜之間的剝離不能順利地進行,有時會在芯片接合薄膜殘留在隔片上的狀態(tài)下僅將切割薄膜剝離。
本發(fā)明鑒于前述問題而創(chuàng)立,其目的在于提供切割/芯片接合薄膜容易從隔片上剝離的帶隔片的切割/芯片接合薄膜。
本申請的發(fā)明人為了解決前述問題而進行了研究,結果發(fā)現(xiàn),通過采用下述構成,可以解決前述問題,從而完成了本發(fā)明。
即,本發(fā)明涉及一種帶隔片的切割/芯片接合薄膜,其通過將隔片、在俯視時的外周部具有向外側凸出的伸出片的芯片接合薄膜以及切割薄膜以該順序層疊而得到。
該帶隔片的切割/芯片接合薄膜(以下也稱為“帶隔片的薄膜”)中,芯片接合薄膜在俯視時的外周部具有向外側凸出的伸出片(以下有時簡稱為“伸出片”),因此在從形成有伸出片的一側剝離時,該伸出片成為剝離的起點,結果可以容易地進行切割/芯片接合薄膜從隔片上的剝離。另一方面,在芯片接合薄膜不具有伸出片的情況下,作為芯片接合薄膜的剝離起點的區(qū)域呈更接近直線的狀態(tài),在剝離初期芯片接合薄膜從隔片受到的應力(要將芯片接合薄膜往隔片側牽拉的應力。以下也稱為“牽拉應力”)變大,有時會產(chǎn)生以往的剝離的不良狀況。
該帶隔片的薄膜中,優(yōu)選所述伸出片具有錐形的前端部。由此,伸出片的前端部與隔片的接觸面積變小,可以降低來自隔片的牽拉應力,可以更容易地剝離切割/芯片接合薄膜。
該帶隔片的薄膜中,所述伸出片優(yōu)選具有V形的前端部。通過將伸出片的前端部設定為V形,可以在保持伸出片的機械強度的同時降低來自隔片的牽拉應力,并且可以得到以直線形成前端部的簡易結構,因此,伸出片的形成變得容易。
該帶隔片的薄膜中,所述V形的前端部的內(nèi)角優(yōu)選為30°以上且90°以下。由此,可以進一步降低來自隔片的牽拉應力,可以使切割/芯片接合薄膜從隔片上的剝離更良好地進行。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





