[發明專利]帶隔片的切割/芯片接合薄膜有效
| 申請號： | 201310499530.0 | 申請日： | 2013-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN103794530B | 公開（公告）日： | 2018-12-14 |
| 發明（設計）人： | 菅生悠樹;村田修平;大西謙司;木村雄大;柳雄一朗;井上剛一 | 申請（專利權）人： | 日東電工株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德駿 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 帶隔片 切割 芯片 接合 薄膜 | ||
1.一種帶隔片的切割/芯片接合薄膜，其通過將隔片、在俯視時的外周部具有向外側凸出的伸出片的芯片接合薄膜以及切割薄膜以該順序層疊而得到，
其中，與所述伸出片的伸出方向垂直的方向上所述伸出片的根部的最小直徑距離小于所述伸出片的根部與前端部之間的中間部的最大直徑距離，
所述伸出片具有錐形的前端部，
所述伸出片具有V形的前端部，并且
所述V形的前端部的內角為30°以上且90°以下。
2.如權利要求1所述的帶隔片的切割/芯片接合薄膜，其中，所述根部的最小直徑距離為1mm以下。
3.如權利要求1所述的帶隔片的切割/芯片接合薄膜，其中，所述隔片為長尺寸隔片。
4.如權利要求3所述的帶隔片的切割/芯片接合薄膜，其中，所述伸出片沿所述長尺寸隔片的長度方向配置。
5.如權利要求1至4中任一項所述的帶隔片的切割/芯片接合薄膜，其中，所述芯片接合薄膜上，在俯視時的所述芯片接合薄膜的外周的一部分形成有以夾著該外周上的所述伸出片的兩個伸出起點的該外周上的兩個點作為伸出起點且以所述伸出片的兩個伸出起點作為伸出前端點的錐形伸出部，
分別連接所述伸出片的兩個伸出起點與所述伸出部的兩個伸出起點的兩條線段位于通過所述伸出片的兩個伸出起點的任意一個以及所述伸出部的兩個伸出起點這三個點的圓弧的內側。
6.如權利要求5所述的帶隔片的切割/芯片接合薄膜，其中，所述兩條線段為直線。
7.如權利要求6所述的帶隔片的切割/芯片接合薄膜，其中，所述兩條線段所成的角度為120°以上且175°以下。
8.如權利要求1所述的帶隔片的切割/芯片接合薄膜，其中，所述切割薄膜具有基材和層疊在該基材上的粘合劑層，
在所述切割薄膜的所述粘合劑層上層疊有所述芯片接合薄膜。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
