[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201310499135.2
• 申請日: 2013-10-22
• 公開（公告）號: CN103794599B
• 公開（公告）日: 2017-11-21
• 發明（設計）人: 小山威;廣瀨嘉胤
• 申請（專利權）人: 精工半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/58
• 分類號: H01L23/58;H01L23/60
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 李輝,黃綸偉

1.一種半導體裝置，其在焊盤下方具有NMOS晶體管，該半導體裝置具備：

所述NMOS晶體管，其具有交替配置的源極以及漏極的擴散區域、在所述源極與所述漏極之間的各個溝道上配置的柵電極、以及包圍所述源極與漏極的擴散區域和所述柵電極的用于固定襯底電位的P型擴散區域，所述溝道的數量為偶數；

第1下層金屬膜，其配置在所述漏極上方，以取得與所述漏極的電連接；

第2下層金屬膜，其用于使所述源極以及所述柵電極與所述P型擴散區域電連接；

中間層金屬膜，其是矩形環狀，在所述焊盤下方具有開口部，經由第一過孔與所述第1下層金屬膜電連接；

上層金屬膜，其配置在所述中間層金屬膜上方，經由第二過孔與所述中間層金屬膜電連接，形成了所述焊盤；以及

保護膜，其具有與所述開口部一致的焊盤開口部，

僅在所述中間層金屬膜的一邊和與所述一邊相對的另一邊配置有所述第一過孔，

所述源極以及漏極的擴散區域關于所述NMOS晶體管的溝道寬度方向的直線對稱地配置。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述NMOS晶體管具有所述源極的擴散區域，作為柵電極長度方向上的兩端的擴散區域。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述NMOS晶體管具有所述漏極的擴散區域，作為柵電極長度方向上的兩端的擴散區域。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

所述NMOS晶體管還具有被位于所述NMOS晶體管的中心的所述源極的擴散區域夾住兩側的、用于固定襯底電位的P型擴散區域。