[發明專利]存儲器及其制造方法

在審

• 申請號: 201310498838.3
• 申請日: 2013-10-22
• 公開（公告）號: CN104576538A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 賴二琨
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/02;H01L27/115
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種存儲器，包括：

一襯底；

多個位線疊層，平行配置在該襯底上方，這些位線疊層各包括相互交替的多個半導體層和多個第一絕緣層，這些位線疊層各具有相對的二個側壁；

一存儲器層，配置在這些位線疊層的這些側壁上；

多個第二絕緣層，分別配置在這些位線疊層各者之上；以及

多個串行選擇結構，分別對應這些位線疊層配置，這些串行選擇結構各包括：

一第一導電層，配置在這些第二絕緣層中對應的該第二絕緣層上；及

二個襯墊層，分別沿著這些位線疊層中對應的該位線疊層相對的該二個側壁配置并連接該第一導電層。

2.根據權利要求1所述的存儲器，其中這些串行選擇結構是配置在這些位線疊層的同一側。

3.根據權利要求1所述的存儲器，其中該第一導電層和該二個襯墊層是由相同材料制造而成。

4.根據權利要求3所述的存儲器，其中該第一導電層和該二個襯墊層是由重摻雜P型多晶硅或導體制造而成。

5.根據權利要求1所述的存儲器，其中這些位線疊層的一端連接到單一個源極導體。

6.一種存儲器的制造方法，包括：

提供一襯底，該襯底上方形成有交替設置的半導體層和第一絕緣層的一疊層；

在該疊層上形成一第二絕緣層；

在該第二絕緣層上形成一第一導電層；

圖案化該第一導電層、該第二絕緣層和該疊層，以形成多個位線疊層和分別對應這些位線疊層的多個第二絕緣層及多個第一導電層；

形成一存儲器層覆蓋這些位線疊層；

移除部分的該存儲器層，露出對應這些位線疊層的這些第一導電層；以及

分別沿著這些位線疊層的各個側壁形成多個襯墊層，使這些襯墊層連接對應這些位線疊層的這些第一導電層，形成多個串行選擇結構。

7.根據權利要求6所述的制造方法，其中在形成這些串行選擇結構的步驟后，更包括：

定義平行于這些串行選擇結構的一排列方向并正交于這些位線疊層的多個字線。

8.根據權利要求7所述的制造方法，其中在定義這些字線的步驟前，更包括：

形成正交于這些位線疊層的一犧牲層；

形成一第二導電層，該第二導電層在對應這些串行選擇結構的位置露出該犧牲層；

移除該犧牲層；以及

在由該犧牲層的移除產生的開口內形成一第三絕緣層。

9.根據權利要求8所述的制造方法，其中該犧牲層為一雙層結構，該雙層結構的下層是由與這些串行選擇結構具有良好共形性的材料制造而成，該雙層結構的上層是由選自包括底部抗反射涂層(SHB)、介電抗反射涂布材料(DARC)、氧化物、氮化硅及多晶硅的群組的材料制造而成。

10.根據權利要求6所述的制造方法，其中在沉積該存儲器層的步驟后，更包括：

刻蝕部分的該存儲器層，露出這些位線疊層多個側壁部分；以及

在這些位線疊層露出的這些側壁部分上形成一氧化物層。