[發明專利]半導體裝置及其制法

在審

• 申請號: 201310498675.9
• 申請日: 2013-10-22
• 公開（公告）號: CN104425414A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: 曾文聰;賴顗喆;邱世冠;葉懋華
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種半導體裝置，其包括：

半導體基板，其具有多個導電穿孔，且該導電穿孔的端面外露于該半導體基板；

緩沖材，其形成于該半導體基板上并外露出該導電穿孔的端面；以及

多個電性接觸墊，其分別形成于各該導電穿孔的端面上且電性連接該導電穿孔，并覆蓋該緩沖材。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該半導體基板表面還具有絕緣層，使該緩沖材形成于該絕緣層上。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該緩沖材位于該導電穿孔的端面周圍。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，該緩沖材與該導電穿孔的端面邊緣對齊。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該緩沖材還形成于該導電穿孔的端面的局部表面上。

6.一種半導體裝置，包括：

半導體基板，其具有多個導電穿孔，該導電穿孔的端面外露于該半導體基板；

線路重布結構，其形成于該半導體基板與該導電穿孔的端面上并電性連接各該導電穿孔，且該線路重布結構具有多個墊部；

緩沖材，其形成于各該墊部的局部表面上；以及

多個電性接觸墊，其分別形成于各該墊部上且電性連接該墊部，并覆蓋該緩沖材。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，該半導體基板表面還具有絕緣層，使該線路重布結構形成于該絕緣層上。

8.根據權利要求6或7所述的半導體裝置，其特征在于，該線路重布結構具有相疊的至少一線路層與介電層，該線路層具有該墊部，且該線路層電性連接該導電穿孔，又該介電層形成于該線路層上并具有開孔，以令該墊部外露于該開孔。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，形成該介電層的材質為氧化硅、氮化硅或聚對二唑苯。

10.根據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，該緩沖材對應該開孔的孔壁而位于該墊部的邊緣。

11.根據權利要求1或6所述的半導體裝置，其特征在于，該半導體基板為含硅的板體。

12.根據權利要求1或6所述的半導體裝置，其特征在于，該緩沖材呈環狀。

13.根據權利要求1或6所述的半導體裝置，其特征在于，該緩沖材為聚酰亞胺、聚對二唑苯或苯環丁烯。

14.根據權利要求1或6所述的半導體裝置，其特征在于，該裝置還包括凸塊底下金屬層，其形成于該電性接觸墊上。

15.根據權利要求2或7所述的半導體裝置，其特征在于，該絕緣層的表面與該導電穿孔的端面齊平。

16.根據權利要求2或7所述的半導體裝置，其特征在于，形成該絕緣層的材質為氧化硅、氮化硅或聚對二唑苯。

17.一種半導體裝置的制法，其包括：

提供一具有多個導電穿孔的半導體基板，且該導電穿孔的端面外露于該半導體基板；

形成緩沖材于該半導體基板上并外露出該導電穿孔的端面；以及

形成多個電性接觸墊于各該導電穿孔的端面上，使該電性接觸墊電性連接該導電穿孔，且該電性接觸墊覆蓋該緩沖材。

18.根據權利要求17所述的半導體裝置的制法，其特征在于，該半導體基板表面還具有絕緣層，使該緩沖材形成于該絕緣層上。

19.根據權利要求17所述的半導體裝置的制法，其特征在于，該緩沖材位于該導電穿孔的端面周圍。

20.根據權利要求19所述的半導體裝置的制法，其特征在于，該緩沖材與該導電穿孔的端面邊緣對齊。

21.根據權利要求17所述的半導體裝置的制法，其特征在于，該緩沖材還形成于該導電穿孔的端面的局部表面上。