[發明專利]具有肖特基源LDMOS的半導體器件及制造方法

有效

• 申請號: 201310497151.8
• 申請日: 2013-10-21
• 公開（公告）號: CN103500757B
• 公開（公告）日: 2017-03-08
• 發明（設計）人: 李瑞鋼;趙一兵;張耀輝;吳菲
• 申請（專利權）人: 蘇州智瑞佳電子技術有限公司
• 主分類號: H01L29/47
• 分類號: H01L29/47;H01L21/28
• 代理公司: 蘇州慧通知識產權代理事務所(普通合伙)32239
• 代理人: 丁秀華

1.一種具有肖特基源LDMOS的半導體器件，其特征在于其包括：重摻雜P型襯底或P+襯底、在重摻雜P型襯底或P+襯底上生長的P阱/外延、形成在P阱/外延中的P型擴散區、形成在P阱/外延中且與P型擴散區保持間隔的N阱/LDD、以及穿過P型擴散區并伸入到重摻雜P型襯底或P+襯底且與P型擴散區形成肖特基結的金屬源極。

2.根據權利要求1所述的一種具有肖特基源LDMOS的半導體器件，其特征在于：其進一步包括形成在P阱/外延中且與金屬源極相鄰的柵極、形成在P阱/外延中且與N阱/LDD相接的漏極。

3.根據權利要求2所述的一種具有肖特基源LDMOS的半導體器件，其特征在于：所述金屬源極的功函數與P型硅的費米能級差大于0.6V。

4.根據權利要求3所述的一種具有肖特基源LDMOS的半導體器件，其特征在于：所述金屬源極采用Tb材料、或Er材料、或Yb材料。

5.一種具有肖特基源LDMOS的半導體器件制造方法，其特征在于其包括如下步驟：

在金屬硅化物柵極形成后，利用化學氣相淀積方法在表面形成二氧化硅介質；

在二氧化硅介質表面涂光刻膠，利用光刻定義源極挖槽區域窗口；

利用選擇性等離子體刻蝕二氧化硅介質，以光刻膠做掩膜刻出源極挖槽區域窗口；

經過強氧化劑在100℃溫度去膠后，形成源極挖槽區域窗口；

利用選擇性等離子體刻蝕源極挖槽區域的氮氧化硅和硅槽，通過定時刻蝕，控制刻蝕深度到重摻雜P型襯底或P+襯底并形成金屬源極坑槽；

利用RCA去離子清洗；

通過磁控濺射的方法，物理淀積特定功函數的金屬與溝道形成具有一定勢壘高度的肖特基結；

利用化學機械拋光進行介質層平整化。

6.根據權利要求5所述的半導體器件制造方法，其特征在于：金屬源極的功函數與P型硅的費米能級差大于0.6V。

7.根據權利要求6所述的半導體器件制造方法，其特征在于：所述金屬源極采用Tb材料、或Er材料、或Yb材料。