[發明專利]存儲器和存儲器操作方法

有效

• 申請號: 201310497065.7
• 申請日: 2013-10-21
• 公開（公告）號: CN104051013A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 何信義;李明修;洪俊雄;龍翔瀾;王典彥
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/22
• 分類號: G11C16/22;G11C16/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

技術領域

本發明是有關一種存儲器和存儲器的操作方法，特別指一種用于恢復遺失預先儲存數據的方法。

背景技術

非易失存儲器有時以預先儲存數據的型式送至客戶。客戶可能將存儲器置于另一個外部程序，例如高溫程序。高溫程序例如可能為一焊接接合程序。在這樣的程序期間，存儲器中全部或部分的預先儲存數據可能遺失。舉例來說，相變化存儲器(PCM)使用在不同狀態中具有不同電阻的相變化材料來儲存數字數據。換句話說，當相變化材料在一初始態時，其可具有一第一電阻。當相變化材料加熱至一結晶溫度時，其轉換至一多晶態且具有一第二電阻。進一步地，當相變化材料加熱至熔點時，其轉換至一非晶態且具有一第三電阻。通常來說，相變化材料多晶態和非晶態分別用來表示二進制的1和二進制的0。因此，如果具有預先儲存數據的相變化存儲器經歷(subject?to)一高溫程序(例如焊接接合程序)，高溫可能引起相變化存儲器中一些或全部的存儲器單元改變狀態而導致預先儲存數據的遺失。

發明內容

本發明提出一種用于操作存儲器的方法。該方法包含將一第一存儲器單元的狀態設置在表示一第一數據的一第一狀態和將一第二存儲器單元的狀態設置在表示該第一數據的一第二狀態。在使存儲器受經(subject?to)一程序后，該方法進一步包含決定該第二存儲器單元的狀態是否改變至表示一第二數據的一第三狀態，其中該第二數據不同于該第一數據。如果該第二存儲器單元的狀態已改變至該第三狀態，該方法也包含將該第二存儲器單元的狀態改回至該第二狀態。

本發明亦提出包含一第一存儲器單元和一第二存儲器單元的一存儲器。該第一存儲器單元的狀態為表示一第一數據的一第一狀態。該第二存儲器單元的狀態為表示該第一數據的一第二狀態。該第一存儲器單元和該第二存儲器單元配置使得在該第一存儲器單元和該第二存儲器單元分別設置在該第一狀態和該第二狀態后，在執行于該存儲器上的一程序期間，該第一存儲器單元的狀態對照于該第二存儲器單元的狀態較難改變。

與本發明一致的特征和優點將會在下面的描述中部分闡述，并且將部分地從描述中顯而易見，或者可以透過本發明的實踐了解到。這樣的特征和優點將透過在所附請求項中特別指出的要素和組合實現和獲得。

應當理解的是，前面的一般描述和下面的詳細描述只是示例性的和解釋性的，而不是限制本發明所請求的。

被并入說明書中并構成本說明書的一部分的附圖說明本發明的一些實施例，并與說明書一起用于解釋本發明的原理。

附圖說明

圖1A至圖1D為根據范例性多個實施例示意性地顯示多個存儲器單元。

圖2A和圖2B分別顯示在不同操作下存儲器單元中施加電流和溫度的改變。

圖3A至圖3C顯示對于在不同條件下多個存儲器單元在高溫程序前后的電阻分布。

圖4為根據范例性多個實施例顯示一個存儲器單元。

圖5為根據范例性多個實施例顯示用于操作存儲器的程序的流程圖。

圖6為根據范例性多個實施例顯示用于檢驗和恢復存儲器單元的程序的流程圖。

【符號說明】

100????存儲器單元

102????可變電阻器

104????存取元件

104-1??場效晶體管

104-2??極性結晶體管

104-3??二極管

400????存儲器單元

402????參考單元

404????快閃單元

406????多功復用器

408????選擇晶體管

500????流程圖

502????步驟

504????步驟

506????步驟

508????步驟

510????步驟

600????流程圖

602????步驟

604????步驟

606????步驟

具體實施方式

與本發明一致的多個實施例包含用于操作存儲器的方法和可恢復遺失數據的存儲器。

此后，多個實施例以圖示描述。盡可能地，相同的圖標符號在所有圖標中皆指相同或類似的部件。