[發明專利]存儲器和存儲器操作方法

有效

• 申請號: 201310497065.7
• 申請日: 2013-10-21
• 公開（公告）號: CN104051013A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 何信義;李明修;洪俊雄;龍翔瀾;王典彥
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/22
• 分類號: G11C16/22;G11C16/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種用于操作存儲器的方法，包含：

將一第一存儲器單元的狀態設置在表示一第一數據的一第一狀態；

將一第二存儲器單元的狀態設置在表示該第一數據的一第二狀態；

使該存儲器受經一程序后，決定該第二存儲器單元的狀態是否改變至表示一第二數據的一第三狀態，其中該第二數據不同于該第一數據；以及

如果該第二存儲器單元的狀態已改變至該第三狀態，將該第二存儲器單元的狀態改回至該第二狀態。

2.根據權利要求1所述的方法，更包括：

施加一第一讀取電流至該第一存儲器單元以取得表示儲存在該第一存儲器單元中的數據的一第一讀取結果；

施加一第二讀取電流至該第二存儲器單元以取得表示儲存在該第二存儲器單元中的數據的一第二讀取結果；以及

比較該第一讀取結果和該第二讀取結果以決定該第二存儲器單元的狀態是否改變至該第三狀態。

3.根據權利要求1所述的方法，其中該第一存儲器單元和該第二存儲器單元具有一相同的結構，其中，將該第一存儲器單元的狀態設置在該第一狀態包含將該第一存儲器單元的電阻設置在一第一電阻范圍內，以及將該第二存儲器單元的狀態設置在該第二狀態包含將該第二存儲器單元的電阻設置在不同于該第一電阻范圍的一第二電阻范圍內。

4.根據權利要求3所述的方法，更包括，判定該第二存儲器單元的電阻是否改變至表示該第二數據的一第三電阻范圍內以決定該第二存儲器單元的狀態是否改變至該第三狀態，其中將該第二存儲器單元的狀態改回至該第二狀態包含將該第二存儲器單元的電阻改回至該第二電阻范圍內。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，該第一存儲器單元包含用以儲存數據的一第一存儲器材料，以及該第二存儲器單元包含用以儲存數據的一第二存儲器材料，其中，該第二存儲器材料不同于該第一存儲器材料，該第一存儲器材料的狀態比該第二存儲器材料的狀態較難改變，其中，將該第一存儲器單元的狀態設置在該第一狀態包含將該第一存儲器材料的狀態設置在一第一材料狀態，以及將該第二存儲器單元的狀態設置在該第二狀態包含將該第二存儲器材料的狀態設置在一第二材料狀態。

6.一存儲器，包含：

一第一存儲器單元，具有一表示一第一數據的第一狀態；

一第二存儲器單元，具有一表示一第一數據的第二狀態；

其中，該第一存儲器單元和該第二存儲器單元對于一外部程序具有不同的狀態改變率。

7.根據權利要求6所述的存儲器，其中，該第一存儲器單元和該第二存儲器單元對于一加熱程序具有不同的狀態改變率。

8.根據權利要求6所述的存儲器，其中，該第一存儲器單元和該第二存儲器單元具有一相同的結構，該第一存儲器單元的電阻設置在一第一電阻范圍內，以及該第二存儲器單元的電阻設置在不同于該第一電阻范圍的一第二電阻范圍內。

9.根據權利要求6所述的存儲器，其中該第一存儲器單元包含用以儲存數據的一第一存儲器材料，該第二存儲器單元包含用以儲存數據的一第二存儲器材料，其中該第二存儲器材料不同于該第一存儲器材料。

10.根據權利要求6所述的存儲器，其中該第一存儲器單元和該第二存儲器單元為相變化存儲器單元。