[發(fā)明專利]電子電路和半導體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310495320.4
• 申請日: 2013-10-21
• 公開（公告）號: CN103780112B
• 公開（公告）日: 2016-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 長山準;粟屋友晴
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社索思未來
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/088;H03K17/14
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王萍;陳煒

1.一種電子電路，包括：

第一電路，每個第一電路包括第一場效應(yīng)晶體管，所述第一場效應(yīng)晶體管的源極被提供第一電壓和第二電壓中至少之一；以及

第二電路，每個第二電路與相應(yīng)的一個第一電路相關(guān)聯(lián)，并且產(chǎn)生施加到所述第一場效應(yīng)晶體管的反向偏置電壓，以便根據(jù)所述第一電壓和第二電壓中至少之一的改變而改變。

2.如權(quán)利要求1所述的電子電路，其中，每個第二電路包括第一節(jié)點、第二節(jié)點、第三節(jié)點、第四節(jié)點、第一電阻器和第二電阻器，第二場效應(yīng)晶體管以及電流源，所述第一節(jié)點被提供所述第一電壓和第二電壓中之一，所述第二節(jié)點被提供低于所述第一電壓或高于所述第二電壓的第三電壓，通過所述第三節(jié)點輸出反向偏置電壓，所述第四節(jié)點被提供第四電壓，所述第一電阻器和第二電阻器在所述第一節(jié)點和第二節(jié)點之間串聯(lián)連接，所述第二場效應(yīng)晶體管的源極被連接到所述第一節(jié)點，柵極被連接到所述第一電阻器和第二電阻器之間的節(jié)點，漏極被連接到所述第二節(jié)點，背柵被連接到所述第四節(jié)點，所述電流源在所述第二節(jié)點和第三節(jié)點之間連接并且對所述第一電阻器和第二電阻器提供電流。

3.如權(quán)利要求2所述的電子電路，其中，所述電流源包括第三電阻器和第三場效應(yīng)晶體管，所述第三電阻器被連接在所述第二場效應(yīng)晶體管的漏極和所述第二節(jié)點之間，所述第三場效應(yīng)晶體管的源極被連接到所述第三節(jié)點，柵極被連接在所述第一場效應(yīng)晶體管的漏極和所述第三電阻器之間，漏極被連接到所述第二節(jié)點。

4.如權(quán)利要求2或3所述的電子電路，其中，至少兩個所述第二電路在所述第一電阻器和第二電阻器之間具有不同的電阻比值。

5.如權(quán)利要求2或3所述的電子電路，其中，至少兩個所述第二電路被提供不同值的第四電壓。

6.如權(quán)利要求2或3所述的電子電路，還包括產(chǎn)生第三電壓的電荷泵。

7.如權(quán)利要求2或3所述的電子電路，還包括存儲器電路和產(chǎn)生電路，所述存儲器電路存儲關(guān)于第四電壓的信息，所述產(chǎn)生電路根據(jù)所述信息產(chǎn)生第四電壓。

8.如權(quán)利要求7所述的電子電路，其中，至少一個所述第一電路包括PLL電路。

9.一種半導體裝置，其包括半導體芯片，在所述半導體芯片中形成電子電路，

所述電子電路包括：

第一電路，每個所述第一電路包括第一場效應(yīng)晶體管，所述第一場效應(yīng)晶體管的源極被提供第一電壓和第二電壓中至少之一；以及

第二電路，每個所述第二電路與相應(yīng)的一個第一電路相關(guān)聯(lián)，并且根據(jù)所述第一電壓和第二電壓中至少之一的改變來產(chǎn)生施加到所述第一場效應(yīng)晶體管的反向偏置電壓，

所述半導體芯片具有多個塊，每個塊包括所述第一電路。

10.如權(quán)利要求9所述的半導體裝置，其中，多個塊包括被布置在所述半導體芯片的中心附近的塊，所述塊的面積小于布置在所述半導體芯片的邊緣附近的塊的面積。