[發明專利]制備新型導電氧化銦錫鋅材料及薄膜的方法

無效

• 申請號: 201310494475.6
• 申請日: 2013-10-21
• 公開（公告）號: CN103510057A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 黃信二
• 申請（專利權）人: 研創應用材料（贛州）有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/08;C23C14/14;B22F3/22
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技術領域

本發明涉及一種透明導電氧化銦錫鋅材料及薄膜的制備方法，屬于薄膜光電池、液晶電視及觸控屏的應用領域。

背景技術

????隨著社會發展和科學技術的突飛猛進，人類對功能材料的需求日益迫切。新的功能材料已成為新技術和新興工業發展的關鍵。隨著顯示器、觸膜屏、半導體、太陽能等產業的發展，一種新的功能材料——透明導電氧化物薄膜(transparent?conducting?oxide，簡稱為TCO薄膜)隨之產生、發展起來。所謂透明導電薄膜是指一薄膜材料在可見光范圍內的透光率達到80％以上，而且導電性高，比電阻值低于1x10^-3Ω.cm。習知Au、Ag、Pt、Cu、Rh、Pd、Al、Cr等金屬，在形成3-15nm厚的薄膜時，都具有某種程度的透光性，都曾應用于透明薄膜電極。但這些金屬薄膜對光的吸收太大，硬度低且穩定性差，因此漸漸發展成以金屬氧化物為透明導電薄膜材料?(Transparent?Conduction?Oxide,?TCO)為主，這類薄膜具有禁帶寬、可見光譜區光透射率高和電阻率低等共同光電特性，在太陽能電池、平面顯示、特殊功能窗口涂層及其它光電器件領域具有廣闊的應用前景。其中制備技術最成熟、應用最廣泛的當屬In₂O₃基(In₂O₃：Sn簡稱ITO)薄膜。但是，由于ITO薄膜中In₂O₃價格昂貴，從而導致生產成本較高；非氧化銦系列的材料如氧化錫或者氧化鋅，近年也有相當多得研究，但目前在液晶電視及觸控屏等領域，這些新的導電薄膜材料性價比尚無法與氧化銦系列的材料相比擬。

為了獲得可見光譜區透射率高、電導率高、性能穩定、附著性好、能符合不同用途不同要求的高質量的ITO膜，國內外已經研發出多種ITO薄膜的制備技術來調控和改善材料的性能。各種技術雖然各具特點但都致力于完善薄膜性能、降低反應溫度、提高控制精度、簡化制備成本和適應大規模生產。目前主要有真空蒸鍍工藝、化學氣相沉積(CVD)工藝、脈沖激光沉積(PLD)工藝、及真空濺鍍工藝等。為達大面積均勻性及量產性真空濺度的工藝是首選，因此薄膜濺鍍用鍍膜材料(靶材)的質量與性能就變得非常重要。隨著電子組件如液晶電視、觸控屏、薄膜太陽能電池等尺寸越來越大，如何獲得更高透光度與電性的ITO薄膜是當務之急。