[發明專利]制備新型導電氧化銦錫鋅材料及薄膜的方法

無效

• 申請號: 201310494475.6
• 申請日: 2013-10-21
• 公開（公告）號: CN103510057A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 黃信二
• 申請（專利權）人: 研創應用材料（贛州）有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/08;C23C14/14;B22F3/22
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1.一種制備新型導電氧化銦錫鋅材料及薄膜的方法，其特征在于：導電氧化銦錫鋅材料中氧化錫質量分數含量為10-45%，氧化鋅的質量分數含量1-20%，余量為氧化銦，將上述原料使用氧化鋯球、純水及分散劑研磨充分混合，研磨時間24小時，然后將漿料灌入三寸的多孔性模具中，經過干燥后脫膜形成三元氧化物混合的低密度胚體，然后經過1400-1550℃的高溫燒結，即能形成濺鍍用高密度靶材胚體，經切割與表面研磨成氧化銦錫鋅(ITZO)靶材；

采用多層結構設計，首先在玻璃或可撓性PET基板上先濺鍍10-50nm的氧化銦錫鋅薄膜，接著濺鍍5-15nm的銀或銀合金薄膜，最后在濺鍍10-50nm的氧化銦錫鋅薄膜，形成三明治結構的薄膜，使得薄膜在<150℃狀態下濺鍍成膜。

2.根據權利要求1所述的一種制備新型導電氧化銦錫鋅材料及薄膜的方法，其特征在于：氧化錫及氧化鋅相加的總含量不大于50%。

3.根據權利要求1所述的一種制備新型導電氧化銦錫鋅材料及薄膜的方法，其特征在于：銀合金為Ag-0.5Ti或Ag-0.5Ti-1.0Cu。

4.根據權利要求1所述的一種制備新型導電氧化銦錫鋅材料及薄膜的方法，其特征在于：所述濺鍍用純銀靶材或銀合金靶材的制備，使用周波爐，在1100℃溶解純銀或銀合金顆料，然后澆注在鑄鐵模具中在加工成3寸靶材備用。

5.根據權利要求1所述的一種制備新型導電氧化銦錫鋅材料及薄膜的方法，其特征是其濺鍍過程為：首先將玻璃或PET基板、純銀靶材及氧化銦錫鋅靶材放入真空濺鍍機中，真空抽氣系統將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7×10^-5-0.9×10^-5?torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2×10^-3torr，玻璃基板不加熱，然后進行濺鍍。

6.根據權利要求1所述的一種制備新型導電氧化銦錫鋅材料及薄膜的方法，其特征是導電氧化銦錫鋅材料中優選含量為：氧化錫質量分數含量為20-35%，氧化鋅的質量分數含量5-10%，余量為氧化銦。

7.根據權利要求1所述的一種制備新型導電氧化銦錫鋅材料及薄膜的方法，其特征是導電氧化銦錫鋅材料中還優選含量為：氧化錫質量分數含量為20-25%，氧化鋅的質量分數含量8-10%，余量為氧化銦。

8.根據權利要求1所述的一種制備新型導電氧化銦錫鋅材料及薄膜的方法，其特征在于：所述分散劑為羧酸鹽類。

9.根據權利要求1所述的一種制備新型導電氧化銦錫鋅材料及薄膜的方法，其特征是質量比為：導電氧化銦錫鋅材料:?氧化鋯球:純水:分散劑=1:3:0.25:0.02。