[發明專利]一種硅片切割工藝有效
| 申請號: | 201310494360.7 | 申請日: | 2013-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN103522431A | 公開(公告)日: | 2014-01-22 |
| 發明(設計)人: | 周水生;曹彥民;張愛民;董建明;劉亞軍;劉進;任崇榮;李東東;劉寶華;黃倫杰 | 申請(專利權)人: | 山西潞安太陽能科技有限責任公司 |
| 主分類號: | B28D5/04 | 分類號: | B28D5/04;B28D7/00 |
| 代理公司: | 太原市科瑞達專利代理有限公司 14101 | 代理人: | 江淑蘭 |
| 地址: | 046000 山*** | 國省代碼: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅片 切割 工藝 | ||
1.一種硅片切割工藝,切割過程中的切割輔料為砂漿,砂漿由碳化硅和切割液組成,其特征在于:所述的砂漿是經回收利用的廢砂漿,碳化硅:切割液按1:0.9~0.97重量比配制;其中切割液是由100%的回收液組成,碳化硅是由80%重量的回收砂和20%重量的新砂組成。
2.根據權利要求1所述的硅片切割工藝,其特征在于:包括以下步驟:
(1)廢砂漿的回收
①通過固液分離,對廢砂漿進行回收,添加化學藥劑,增加砂漿粘稠度;
②砂漿過濾器中添加過濾袋,避免大顆粒混入砂漿;
????(2)切割輔料砂漿的準備:砂漿由碳化硅和切割液組成,碳化硅:切割液按1:0.9~0.97重量比配制;
????①將碳化硅放入烘箱,在80-100℃的溫度下烘干8小時,調整烘箱溫度至40°冷卻;
②切割液在23±3℃條件下放置24小時以上;
③首先將切割液打入砂漿攪拌桶;
④碳化硅由80%重量的回收砂和20%重量的新砂組成,碳化硅緩慢倒入砂漿攪拌桶,平均每袋用時3分鐘,每袋25kg;
⑤攪拌4小時后,測量砂漿密度,砂漿密度控制在1.64-1.67kg/m3范圍內;
⑥攪拌至8小時以上砂漿方可使用,使用前需再次測量砂漿密度保證在1.64-1.67kg/m3范圍內;
(3)切割過程
①采用雙向切割,砂漿單刀消耗量為250-300kg/刀,鋼線平均使用量為240-280km;
????②鋼線速度:增加鋼線速度,以提高切割能力,切割速度在?675-830m/min;
????③新線進給:增加新線進給量,減少鋼線磨損,新線進給量在300-380m/min;
????④砂漿流量:砂漿流量設定在60-90L/min;
????⑤鋼線張力:鋼線張力是硅片切割工藝中相當核心的要素之一,張力控制不好是產生線痕片、崩邊甚至斷線的重要原因,鋼線張力保持在18-25N;
⑥工件的進給速度:
根據以上參數的改變,工件進給速度做出相應調整,硅片切割初期,硅棒表面光滑,需低速進刀,進刀速度控制在0.250mm/min;切割速度由0.25mm/min逐漸增加至0.31mm/min,切割至硅棒倒角處速度逐步減小至0.1mm/min;
⑦工藝調整完成,安裝硅棒,檢查設備進行切割,切割結束后進行脫膠清洗;
⑧清洗過程
硅片清洗使用9個清洗槽清洗。
3.根據權利要求2所述的硅片切割工藝,其特征在于:所述(1)廢砂漿的回收過程中,所述的化學藥劑包括5%-10%二甘醇和表面活性劑,表面活性劑包括消泡劑、分散劑、滲透劑。
4.根據權利要求2所述的硅片切割工藝,其特征在于:所述的廢砂漿回收后切割液的性能如下:
外觀:無色無味透明液體;
色度≤40;
折光率:1.4540~1.4640;
ph值:6.0~7.0;
水分≤0.40%;
旋轉粘度:42.0~48.0mPa?s;
密度:1.100~1.130g/cm3;
電導率≤10μ?S/cm。
5.根據權利要求2所述的硅片切割工藝,其特征在于:所述的廢砂漿回收后碳化硅的性能如下:碳化硅的顆粒度:D50為8.2±0.2μm,即表示碳化硅顆粒粒徑分布中占50%比例的粒徑在8-8.4μm之間。
6.根據權利要求2所述的硅片切割工藝,其特征在于:所述的切割工藝采用NTC-PV800線切機,使用主輥槽距為0.33mm,鋼線直徑為0.115mm。
7.根據權利要求2所述的硅片切割工藝,其特征在于:所述(3)切割過程的⑧清洗過程中,清洗槽容量為110L,在1#、2#清洗槽加入2-3kg檸檬酸清洗,除去表面殘留砂漿;3#、4#清洗槽添加清洗劑除去表面污垢,5#、6#、7#、8#清洗槽均為純水,純水溫度在30-50℃;9#槽采用慢提拉脫水,減少硅片表面水分殘留量,進入烘道將硅片烘干。
8.根據權利要求7所述的硅片切割工藝,其特征在于:所述清洗劑包括TMN10、SA-9、Np-10、KOH/NaOH混合物、丙二醇甲醚中的一種或幾種。
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