[發明專利]一種支持列選功能的亞閾值存儲單元

無效

• 申請號: 201310494137.2
• 申請日: 2013-10-21
• 公開（公告）號: CN103578530A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 溫亮;李毅;曾曉洋
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: G11C11/413
• 分類號: G11C11/413
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.?一種支持列選功能的亞閾值存儲單元，其特征在于包括：

一對交叉耦合的第一反相器和第二反相器構成存儲單元的存儲核心；其中，第一反相器的上拉部分為一個PMOS管，下拉部分為兩個堆疊的NMOS管；上拉PMOS管和下拉部分兩個堆疊管的中第一NMOS管的柵極與反相器的輸入相連，它們的源極分別與電源和地相連，漏極分別與反相器的輸出和下拉部分兩個堆疊管中的第二個NMOS管的源極相連；下拉部分兩個堆疊管中的第二NMOS管的漏極與反相器的輸出相連，柵極與列寫字線的互補信號相連；第二反相器的輸入與第一反相器的輸出相連，第二反相器的輸出與第一反相器的輸入相連；第一反相器的輸入和輸出，或第二反相器2的輸出和輸入，為兩個存儲結點；

一個寫晶體管和一個列選反相器構成的存儲單元的寫電路；其中，寫晶體管的源極與第一反相器的輸出相連，漏極與位線相連，而柵極則與列選反相器的輸出相接；列選反相器由一個PMOS管與一個NMOS管構成，其中的PMOS管的供電電源與列寫字線相接，輸入與行寫字線相連，輸出則與寫晶體管柵極相連；

一個讀晶體管與第二反相器的下拉管構成的存儲單元的讀電路；其中，讀晶體管的源極與第二反相器的輸出相連，漏極與位線相連，柵極則由讀字線控制。

2.?根據權利要求1所述的亞閾值存儲單元，其特征在于：當存儲單元進行寫操作時，交叉耦合的反饋環被切斷，數據通過寫晶體管順利寫入存儲單元。

3.?根據權利要求1所述的亞閾值存儲單元，其特征在于：當存儲單元進行讀操作時，交叉耦合的反饋環同樣被切斷，數據通過讀晶體管順利輸出到位線。

4.?根據權利要求1所述的亞閾值存儲單元，其特征在于：由它構成的存儲陣列完全支持列選擇功能，消除半選擇破壞。