[發明專利]一種半導體器件的制備方法

在審

• 申請號: 201310492653.1
• 申請日: 2013-10-18
• 公開（公告）號: CN104576537A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 陳勇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/266;H01L21/28
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)提供半導體襯底，所述半導體襯底內形成有用于隔離有源區的隔離結構，隔離結構的上表面高于所述半導體襯底；

2)在所述半導體襯底的有源區上形成隧穿氧化層；

3)在所述隧穿氧化層和隔離結構上形成本征多晶硅層；

4)在所述本征多晶硅層上預設的選擇柵極對應的區域上設有掩膜層，然后對暴露的其余本征多晶硅層進行N型摻雜；

5)去除掩膜層，并對所述N型摻雜的多晶硅層進行平坦化處理。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于：步驟5）之后還包括對選擇柵極對應的區域進行P型摻雜的步驟。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于：步驟4）中對所述本征多晶硅層進行N型摻雜的離子為第V主族元素的離子。

4.根據權利要求3所述的半導體器件的制備方法，其特征在于：步驟4）中對所述本征多晶硅層進行N型摻雜的離子為P離子或As離子。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于：步驟4）中對所述本征多晶硅層進行N型摻雜的摻雜濃度為1.0×10¹⁷～5.0×10²⁰atom/cm²；注入能量介于1KeV到30KeV之間。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于：步驟1）中所述隔離結構為淺溝槽隔離或局部氧化硅隔離。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于：步驟5）中采用化學機械拋光法對所述N型摻雜的多晶硅層進行平坦化處理。

8.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于：步驟5）中所述N型摻雜的多晶硅層平坦化處理后的厚度為100～250nm。

9.根據權利要求7所述的半導體器件的制備方法，其特征在于：步驟5）中所述N型摻雜的多晶硅層平坦化處理后的厚度為60～100nm。

10.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于：步驟2）中所述隧穿氧化層的材料為氧化硅、氧化硅/氮化硅/氧化硅或氧化鉿、氧化鉿硅、氮氧化鉿硅、氧化鑭、氧化鋯、氧化鋯硅、氧化鈦、氧化鉭、氧化鋇鍶鈦、氧化鋇鈦、氧化鍶鈦、氧化鋁中的至少一種。