[發明專利]光電混載基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201310491908.2
• 申請日: 2013-10-18
• 公開（公告）號: CN103837932B
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 辻田雄一;馬場俊和;增田將太郎
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: G02B6/13
• 分類號: G02B6/13;G02B6/122;G02B6/42;H05K1/02
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種光電混載基板，其特征在于，

該光電混載基板包括：

電路基板，在該電路基板中，在絕緣層的表面的規定位置形成有元件安裝用電極；

元件，其與上述元件安裝用電極對接，并利用與該元件安裝用電極之間產生的接觸摩擦熱進行安裝；以及

光波導路，在該光波導路中，在第1包層圖案形成有芯，以覆蓋該芯的狀態在上述第1包層的表面形成有第2包層，

在上述第1包層接觸上述絕緣層的背面的狀態下，上述電路基板和上述光波導路層疊而形成該光電混載基板，在上述絕緣層與上述第1包層之間的、與上述元件安裝用電極相對應的部分設有金屬制加強層，在上述光波導路的、與上述元件安裝用電極相對應的部分以下述狀態A或狀態B設有由與上述芯的形成材料不同的形成材料形成的樹脂制加強層，該樹脂制加強層的在光電混載基板的安裝上述元件時的溫度下的儲能模量大于上述第1包層的在光電混載基板的安裝上述元件時的溫度下的儲能模量，且該樹脂制加強層的在光電混載基板的安裝上述元件時的溫度下的儲能模量為0.5Gpa以上,

狀態A：與上述第1包層以及上述第2包層接觸的狀態，

狀態B：不與上述第1包層接觸、而與上述第2包層接觸的狀態。

2.根據權利要求1所述的光電混載基板，其特征在于，

上述芯和上述樹脂制加強層的在光電混載基板的安裝上述元件時的溫度下的儲能模量在0.5GPa～2.0GPa的范圍內，上述第1包層和上述第2包層的在光電混載基板的安裝上述元件時的溫度下的儲能模量在0.3GPa～1.5GPa的范圍內。

3.一種光電混載基板的制造方法，其特征在于，

該光電混載基板的制造方法包括以下工序：

在金屬層的表面上形成絕緣層后，在該絕緣層的表面上形成元件安裝用電極，從而在上述金屬層的表面上制作電路基板；

制作光波導路的工序，在上述金屬層的背面形成第1包層后，在該第1包層形成芯，之后，以覆蓋該芯的狀態在上述第1包層的表面形成第2包層，從而在上述金屬層的背面制作光波導路；

元件安裝工序，使元件與上述元件安裝用電極相接觸摩擦，并利用該摩擦的摩擦熱來安裝元件；

上述制作光波導路的工序具有以下工序：

在形成上述第1包層前，為了留下上述金屬層的與上述元件安裝用電極相對應的部分，利用蝕刻將上述金屬層的除了與上述元件安裝用電極相對應的部分以外的部分去除，使該留下的部分形成金屬制加強層；

在去除了上述金屬層后的部分上以覆蓋該金屬制加強層的狀態形成上述第1包層；以及

在上述光波導路的與上述元件安裝用電極相對應的部分以下述狀態A或狀態B形成由與上述芯的形成材料不同的形成材料形成的樹脂制加強層，該樹脂制加強層的在光電混載基板的安裝上述元件時的溫度下的儲能模量大于上述第1包層的在光電混載基板的安裝上述元件時的溫度下的儲能模量，且該樹脂制加強層的在光電混載基板的安裝上述元件時的溫度下的儲能模量為0.5Gpa以上,

狀態A：與上述第1包層以及上述第2包層接觸的狀態，

狀態B：不與上述第1包層接觸、而與上述第2包層接觸的狀態。

4.根據權利要求3所述的光電混載基板的制造方法，其特征在于，

上述芯和上述樹脂制加強層的在光電混載基板的安裝上述元件時的溫度下的儲能模量設定在0.5GPa～2.0GPa的范圍內，上述第1包層和上述第2包層的在光電混載基板的安裝上述元件時的溫度下的儲能模量設定在0.3GPa～1.5GPa的范圍內。