[發明專利]基于光刻膠的臨時鍵合及去鍵合的方法有效
| 申請號: | 201310491592.7 | 申請日: | 2013-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN103617944A | 公開(公告)日: | 2014-03-05 |
| 發明(設計)人: | 趙巖;程偉;吳璟 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第五十五研究所 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/60 |
| 代理公司: | 南京君陶專利商標代理有限公司 32215 | 代理人: | 沈根水 |
| 地址: | 210016 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 光刻 臨時 去鍵合 方法 | ||
1.一種基于光刻膠(ProLIFT100)的臨時鍵合及去鍵合的方法,其特征是包括臨時鍵合及去鍵合,其中臨時鍵合的步驟,包括
1)用質量濃度為10%的鹽酸清洗半導體圓片和臨時載片表面,再用去離子水進行沖洗,去除表面沾污,然后放入烘箱烘干圓片表面的水分,保證圓片表面干爽無污染,臨時載片是玻璃片或藍寶石;
2)在半導體圓片和臨時載片的正面分別旋涂光刻膠(ProLIFT100)作為臨時鍵合過渡層,轉速1000rpm-5000rpm,時間為60秒;
3)保持半導體圓片和臨時載片的正面朝上,在烘箱中烘烤30分鐘,烘箱溫度應不低于220攝氏度;
4)待半導體圓片和臨時載片在室溫下自然冷卻后,將半導體圓片和臨時載片正面相對在溫度為250攝氏度、真空度小于5mbar、壓力大于4000N的條件下進行粘片;
去鍵合方法,包括以下步驟:
1)清洗半導體圓片和臨時載片表面;
2)將圓片浸泡在正性顯影液中;
3)待光刻膠(ProLIFT100)溶解后半導體圓片和臨時載片將自動分離;
4)將半導體圓片小心夾起并清洗干凈。
2.根據權利要求1所述的一種基于光刻膠(ProLIFT100)的臨時鍵合及去鍵合的方法,其特征是所述的采用光刻膠(ProLIFT100)作為臨時鍵合過渡層是通過1)清洗圓片和臨時載片;2)旋涂光刻膠(ProLIFT100)并放在220攝氏度烘箱中烘烤30分鐘;3)在溫度為250攝氏度、真空小于5mbar、壓力大于4000N的條件下實現半導體圓片與臨時載片的鍵合,使半導體器件背面制作工藝能夠耐受超過300攝氏度的高溫;圓片去鍵合時只要將整個圓片浸泡在正性顯影液中,待ProLIFT100完全溶解后半導體圓片將與臨時載片自動分離;整個過程不會對臨時載片造成磨損、沾污傷害,可循環使用。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





