[發明專利]基于光刻膠的臨時鍵合及去鍵合的方法有效
| 申請號: | 201310491592.7 | 申請日: | 2013-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN103617944A | 公開(公告)日: | 2014-03-05 |
| 發明(設計)人: | 趙巖;程偉;吳璟 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第五十五研究所 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/60 |
| 代理公司: | 南京君陶專利商標代理有限公司 32215 | 代理人: | 沈根水 |
| 地址: | 210016 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 光刻 臨時 去鍵合 方法 | ||
技術領域
本發明涉及的是一種基于光刻膠(ProLIFT100)的臨時鍵合及去鍵合的方法,屬于半導體背面工藝技術領域。
背景技術
隨著半導體器件頻率的不斷攀升,芯片厚度對器件性能產生重要影響,如薄芯片就具有很多優勢,提高散熱效率、機械性能與電性能,減小封裝體積,減輕重量等。半導體器件的背面工藝一般包括襯底減薄、通孔刻蝕、背面金屬化等步驟,當圓片的襯底減薄至150μm甚至更薄時,很容易發生碎片,并且由于應力的原因圓片會發生彎曲變形,無法操作,因此需要在減薄之前與玻璃片等載片臨時鍵合,以臨時載片為依托進行后續工藝制作。
常規的臨時鍵合是采用絕緣膠或者蠟等作為鍵合過渡層,這些鍵合材料通常涂敷的均勻性和平整度不夠好,從而影響了芯片減薄的均勻性,使得同一圓片上的不同芯片厚度差別較大,降低了工藝容差。最為關鍵的是,這些材料都只能耐受100多攝氏度的溫度。隨著半導體工藝的不斷發展,各種新材料、新工藝的不斷開發應用,研究人員發現,有些材料的背面金屬化或者背面通孔刻蝕等工藝在超過200攝氏度甚至250攝氏度以上的高溫下才可以達到最好的效果,然而在這樣的高溫下,這些鍵合材料基本都會軟化或者發生分解,導致工藝的失敗,臨時鍵合工藝也就成為了高溫背面工藝的瓶頸問題。
針對這一問題,目前研究人員并沒有很好的解決方案,只能被迫放棄采用高溫過程,退而求其次,嚴重限制了工藝的發展。
發明內容
本發明提出的是一種基于光刻膠(ProLIFT100)的臨時鍵合及去鍵合的方法,其目旨在解決半導體圓片背面工藝無法耐受高溫的問題。
本發明的技術解決方案:一種基于光刻膠(ProLIFT100)的臨時鍵合及去鍵合的方法,包括臨時鍵合及去鍵合,其中臨時鍵合的步驟,包括
1)用質量濃度為10%的鹽酸清洗半導體圓片和臨時載片表面,再用去離子水進行沖洗,去除表面沾污,然后放入烘箱烘干圓片表面的水分,保證圓片表面干爽無污染,臨時載片是玻璃片或藍寶石;
2)在半導體圓片和臨時載片的正面分別旋涂光刻膠(ProLIFT100)作為臨時鍵合過渡層,轉速1000rpm-5000rpm,時間為60秒;
3)保持半導體圓片和臨時載片的正面朝上,在烘箱中烘烤30分鐘,烘箱溫度應不低于220攝氏度;
4)待半導體圓片和臨時載片在室溫下自然冷卻后,將半導體圓片和臨時載片正面相對在溫度為250攝氏度、真空度小于5mbar、壓力大于4000N的條件下進行粘片。
去鍵合方法,包括以下步驟:
1)清洗半導體圓片和臨時載片表面;
2)將圓片浸泡在正性顯影液中;
3)待光刻膠(ProLIFT100)溶解后半導體圓片和臨時載片將自動分離;
4)將半導體圓片小心夾起并清洗干凈。
所述的采用光刻膠(ProLIFT100)作為臨時鍵合過渡層,通過1)清洗圓片和臨時載片;2)旋涂光刻膠(ProLIFT100)并放在220攝氏度烘箱中烘烤30分鐘;3)在溫度為250攝氏度、真空小于5mbar、壓力大于4000N的條件下實現半導體圓片與臨時載片的鍵合,使半導體器件背面制作工藝能夠耐受超過300攝氏度的高溫;圓片去鍵合時只要將整個圓片浸泡在正性顯影液中,待ProLIFT100完全溶解后半導體圓片將與臨時載片自動分離;整個過程不會對臨時載片造成磨損、沾污等傷害,循環使用。
本發明有以下優點:①能夠耐受超過300攝氏度的高溫;②臨時鍵合過渡層表面平整,使得圓片減薄的一致性非常好;③去鍵合過程無需外加機械力,不容易碎片;④臨時載片不受任何損傷,可以循環利用,節約成本;⑤不需額外涂敷保護圓片正面圖形的光刻膠。
本發明最大的特點在于利用ProLIFT100作為臨時鍵合過渡層材料,能夠耐受300攝氏度以上的高溫,與傳統的臨時鍵合相比,能夠支持半導體背面工藝承受更高的溫度,打破了原有工藝對溫度的限制。另外,本發明的圓片去鍵合工藝采用的是無機械力的浸泡法,和傳統的靠外力推拉等方法進行圓片去鍵合相比,有效避免了對圓片的損傷,減少了碎片率。
附圖說明
圖1是半導體圓片樣品示意圖。
圖2是臨時載片樣品示意圖。
圖3是在半導體圓片上旋涂ProLIFT100示意圖。
圖4是在臨時載片上旋涂ProLIFT100示意圖。
圖5?將半導體圓片和臨時載片的正面相對鍵合在一起示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖進一步描述本發明的技術解決方案。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





