[發(fā)明專利]薄膜型氣敏元件的制備方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310488778.7 | 申請(qǐng)日： | 2013-10-17 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103529080A | 公開（公告）日： | 2014-01-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張磊;焦萬麗 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 山東理工大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | G01N27/00 | 分類號(hào)： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 255086 山東省淄博市*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 薄膜 型氣敏 元件 制備 方法 | ||
1.一種薄膜型氣敏元件的制備方法，其特征在于采用以下步驟：（1）按照NiFe2O4的化學(xué)計(jì)量比，配制硝酸鐵和硝酸鎳的混合溶液；（2）采用濃氨水為沉淀劑，逐滴加入到混合溶液中，直至混合溶液pH值為11-12，將Fe3+和Ni2+完全沉淀；（3）將混合溶液移入聚四氟乙烯內(nèi)襯反應(yīng)釜，在220℃下保溫6-10小時(shí)，生成NiFe2O4納米粉體；（4）將所得粉體用1M鹽酸浸泡后，再加熱去除HCl；然后用去離子水洗滌剩余物至中性，再加入步驟（3）獲得的NiFe2O4納米粉體質(zhì)量10-40%的PAA，70℃下攪拌1小時(shí)，生成NiFe2O4/PAA磁性納米復(fù)合粉體，再用用無水乙醇清洗2-3次；（5）將清洗后的磁性納米復(fù)合粉體制成質(zhì)量濃度不大于1%的懸浮液，滴在叉指電極基片上，在磁感應(yīng)強(qiáng)度為0.05-0.2T的交變磁場(chǎng)的作用下干燥；（6）將干燥后的叉指電極放入電阻爐內(nèi)，先200℃保溫一小時(shí)，再在400-600℃下保溫一小時(shí)；（7）反復(fù)進(jìn)行步驟（5）和步驟（6）4-10次，得到大孔隙結(jié)構(gòu)的薄膜型氣敏元件。
2.如權(quán)利要求1所述的一種薄膜型氣敏元件的制備方法，其特征在于：步驟（5）中，叉指電極基片的放置方式平行于磁力線方向，交變磁場(chǎng)作用至液滴完全干燥。
3.如權(quán)利要求1所述的一種薄膜型氣敏元件的制備方法，其特征在于：步驟（5）中，叉指電極基片的放置方式垂直于磁力線方向，交變磁場(chǎng)作用至液滴完全干燥。
4.如權(quán)利要求1所述的一種薄膜型氣敏元件的制備方法，其特征在于：步驟（7）中，每重復(fù)一次步驟（5），叉指電極基片要在基片所在平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)90°。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于山東理工大學(xué)，未經(jīng)山東理工大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310488778.7/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
