[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201310488036.4
• 申請日: 2013-10-17
• 公開（公告）號: CN103779459A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 崔宰熏;李范淵;宋基榮;崔洛俊
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/14;H01L33/12;H01L33/42;H01L33/38
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;董文國

技術領域

本實施方案涉及發光器件和發光器件封裝件。

背景技術

已對包括發光器件的發光器件封裝件進行了積極的研究和探索。

發光器件是包括半導體材料以將電能轉化成光的半導體發光器件或半導體發光二極管。

與其他光源(例如熒光燈和白熾燈)相比，半導體發光器件因低功耗、長壽命、快響應時間、安全以及環境友好而具有優勢。因此，已經進行了許多用半導體發光器件取代現有光源的研究和探索。

此外，半導體發光器件具有越來越多地用作室內和室外地方使用的各種燈、液晶顯示器、電子顯示器或照明器件(例如街燈)的光源的趨勢。

發明內容

本實施方案提供能夠通過電流擴散提高發光效率的發光器件。

本實施方案提供能夠提高電特性和光學特性的發光器件。

根據實施方案，提供了一種發光器件。該發光器件包括：納米結構、在納米結構上的第一半導體層、在第一半導體層上的有源層以及在有源層上的第二導電半導體層。所述納米結構包括：設置在第一半導體層下方以接觸第一半導體層的石墨烯層；和從石墨烯層的頂表面延伸至第一半導體層并且接觸第一半導體層的多個納米構造物(texture)。

根據實施方案，提供了一種發光器件。該發光器件包括：發光結構，所述發光結構包括：第一導電半導體層、在第一導電半導體層下方的有源層和在有源層下方的第二導電半導體層；在發光結構的頂表面上的多個納米結構；在發光結構下方的電極層；在電極層下方的接合層以及在接合層下方的支承襯底。每個納米結構包括：接觸第一導電半導體層的頂表面的石墨烯圖案，和從石墨烯圖案突起至有源層的多個納米構造物。設置連接部分以將納米結構的石墨烯圖案彼此連接，并且所述納米構造物包含與構成石墨烯圖案和連接部分的材料不同的材料。

根據實施方案，提供了一種發光器件。該發光器件包括：襯底、設置在襯底上的納米結構和設置在納米結構上并且包括第一導電半導體層、有源層以及第二導電半導體層的發光結構。所述納米結構包括在襯底上的石墨烯層和在石墨烯層上的多個納米構造物。

根據實施方案，提供了一種發光器件。該發光器件包括：電極層、設置在電極層上并且包括第一導電半導體層、有源層和第二導電半導體層的發光結構以及設置在發光結構上的納米結構。所述納米結構包括在襯底上的石墨烯層和在石墨烯層上的多個納米構造物。

根據實施方案，提供了一種發光器件。該發光器件包括：襯底、設置在襯底上的納米結構和設置在納米結構上的發光結構。所述納米結構包括設置在襯底上的多個石墨烯圖案和設置在石墨烯圖案上的多個納米構造物。

根據實施方案，提供了一種發光器件。該發光器件包括：電極層、設置在電極層上的發光結構和設置在發光結構上的納米結構。所述納米結構包括設置在襯底上的多個石墨烯圖案和設置在石墨烯圖案上的多個納米構造物。

根據實施方案，提供了一種發光器件封裝件。該發光器件封裝件包括：本體、設置在本體上的第一引線電極和第二引線電極、設置在本體以及第一引線電極與第二引線電極中之一上的發光器件以及圍繞發光器件的模制構件。

附圖說明

圖1是示出根據實施方案的發光器件的截面圖。

圖2是示出圖1所示發光器件的納米結構的一個實例的平面圖。

圖3是示出根據第一實施方案的側向型發光器件的截面圖。

圖4是示出根據第二實施方案的垂直型發光器件的截面圖。

圖5是示出圖4所示垂直型發光器件中的電流流動的截面圖。

圖6是示出在制造圖5所示發光器件的過程中形成在襯底上的納米結構的截面圖。

圖7是示出形成在圖6所示納米結構上的發光結構的截面圖。

圖8是示出在圖7所示發光結構上形成溝道層的過程的截面圖。

圖9是示出在其上提供有電極層、接合層和支承襯底的圖8的發光結構的截面圖。

圖10是示出沒有襯底的圖9所示納米結構的截面圖。

圖11是示出圖10所示發光結構的周邊部分被蝕刻的截面圖。

圖12是示出形成在圖11所示發光結構的表面上的保護層的截面圖。

圖13是示出圖2所示納米結構的另一個實例的截面圖。

圖14是示出根據第三實施方案具有圖13所示納米結構的側向型發光器件的截面圖。

圖15是示出根據第四實施方案具有圖13所示納米結構的垂直型發光器件的截面圖。

圖16是示出根據第五實施方案的發光器件的截面圖。

圖17是示出圖16所示納米結構的一個實例的平面圖。