[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201310488036.4
• 申請日: 2013-10-17
• 公開（公告）號: CN103779459A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 崔宰熏;李范淵;宋基榮;崔洛俊
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/14;H01L33/12;H01L33/42;H01L33/38
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;董文國

1.一種發光器件，其包括：

納米結構；

設置在所述納米結構上的第一半導體層；

設置在所述第一半導體層上的有源層；和

設置在所述有源層上的第二導電半導體層；

其中所述納米結構包括：

設置在所述第一半導體層下方的接觸所述第一半導體層的石墨烯層；和

從所述石墨烯層的頂表面沿朝向所述第一半導體層的方向延伸并且接觸所述第一半導體層的多個納米構造物。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一半導體層包括N型半導體層，并且所述納米結構連接至所述N型半導體層。

3.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一半導體層包括設置在所述納米結構上的緩沖層和設置在所述緩沖層上的N型半導體層，并且所述納米構造物接觸所述緩沖層和所述N型半導體層。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，其中所述第一半導體層的下部通過所述納米構造物之間的區域接觸所述石墨烯層的頂表面。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，其中所述納米構造物包含氧化鋅(ZnO)。

6.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，其還包括設置在所述納米結構下方的襯底。

7.根據權利要求6所述的發光器件，其中所述石墨烯層包括多個開口，并且所述第一半導體層的一部分通過所述石墨烯層的每個開口接觸所述襯底的頂表面。

8.根據權利要求6所述的發光器件，其中所述石墨烯層接觸所述襯底的頂表面。

9.根據權利要求6所述的發光器件，其中所述納米構造物中的每一個的晶格常數在所述襯底的晶格常數與所述第一半導體層的晶格常數之間。

10.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，其還包括在所述第二導電半導體層上的透明導電層和反射層中的至少之一。

11.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，其中所述第一半導體層包括第一導電半導體層，并且電連接至所述納米結構，并且所述石墨烯層包括透明電極。

12.根據權利要求6所述的發光器件，其中所述石墨烯層包括彼此間隔開的多個石墨烯圖案，并且所述納米構造物分別設置在所述石墨烯圖案上。

13.根據權利要求12所述的發光器件，其中所述第一半導體層設置在所述石墨烯圖案與所述襯底之間，和設置在所述石墨烯圖案之間的區域中，接觸設置在所述襯底與所述納米構造物之間的區域下方的所述石墨烯圖案。

14.根據權利要求12所述的發光器件，其還包括在所述第一半導體層與所述有源層之間的第一導電半導體層。

15.根據權利要求14所述的發光器件，其中所述第一半導體層包括緩沖層，并且所述緩沖層接觸所述襯底的頂表面、所述石墨烯圖案的頂表面以及所述納米構造物。

16.根據權利要求12所述的發光器件，其中所述石墨烯圖案之間的間隔為0.1μm至100μm。

17.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，其中每個納米構造物的寬度為5nm至500nm，并且高度為10nm至3μm。

18.根據權利要求12所述的發光器件，其還包括設置在所述第二導電半導體層上的電極層，

其中設置連接部分以將所述納米結構的所述石墨烯圖案彼此連接，并且

所述納米構造物包含與構成所述石墨烯圖案或所述連接部分的材料不同的材料。

19.根據權利要求18所述的發光器件，其中構成所述連接部分的材料與構成所述石墨烯圖案的材料相同。

20.根據權利要求18或19所述的發光器件，其中所述石墨烯圖案和所述連接部分電連接至所述第一導電半導體層，其中所述石墨烯圖案設置為在垂直方向上對應于所述電極層的彼此不同的區域。